三星加码HBM4产能，全力争夺AI存储主导权

在HBM3E竞争中稍显落后的三星电子，正借HBM4实现强势反攻。2026年2月第三周，三星正式启动全球首款HBM4量产，成为首家向英伟达交付该芯片的厂商。首批产品将用于英伟达新一代“Vera Rubin”AI平台，预计在3月GTC大会上亮相。HBM4采用三星第六代10纳米级（1c）DRAM制程与4纳米逻辑基底芯片，数据传输速率高达11.7Gbps，较JEDEC标准提升46%，显著优于上一代HBM3E。
为巩固领先地位，三星正于平泽P4工厂大规模扩建HBM4专用产线，计划将相关DRAM产能提升70%，月产能可达12万片晶圆。尽管SK海力士凭借良率优势暂居HBM市场主导（市占约57%），但三星凭借“全球首发”抢占英伟达约30%订单，有望重夺技术话语权。与此同时，三星得州晶圆厂已获临时运营许可，将于下半年为特斯拉量产AI5芯片，并规划AI6后续生产。双线并进之下，三星正全面押注AI硬件浪潮，力图在存储与代工两大战场同步崛起。