存储器市场现合约市场深度分化：现货DDR4价格大幅回调，AI驱动合约价续创新高
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-02-10
当前全球存储器市场正经历一场前所未有的结构性撕裂——一边是DDR4在现货市场遭遇“闪崩式”回调，另一边则是面向大客户的合约价格持续飙升，两者走势背道而驰，反映出市场对后市判断的首次重大分歧。
在中国现货市场，曾领涨行情的DDR4内存价格近期断崖下跌。KST 16GB型号从最高925元回落至845元。这一剧烈波动终结了过去一年DRAM整体涨幅高达613%（150元涨到920元）的炒作神话。此轮崩跌并非偶然，而是多重因素共振的结果：首先，DDR5在PC与服务器领域的渗透率已高达70%–80%，DDR4实际需求占比不足三成，仅存于医疗设备、工业控制等长周期利基市场；其次，此前因三星、SK海力士等大厂为全力押注高利润HBM而削减DDR4产能，被华强北等通路商放大为“长期缺货”预期，引发恐慌性囤货与资本控盘，催生严重偏离基本面的价格泡沫；更荒诞的是，一度出现性能落后的DDR4价格反超DDR5的“倒挂”现象。如今，随着主流整机厂加速平台切换、国产厂商释放新一代DDR4产能，以及投机资金急于回笼，泡沫开始受到挤压，随着时间的推移最后泡沫终将破裂。历史经验表明，类似DDR3换代时期的囤货潮，最终往往以惨烈亏损收场。
然而，即使DDR4现货市场的退潮，并未撼动整个存储器行业的上行逻辑，反而凸显了AI驱动的“超级周期”之坚挺。关键在于区分现货价与合约价：前者面向中小客户、零散采购，易受情绪与短期供需扰动；后者则面向微软、谷歌、亚马逊、苹果、华为、小米等头部客户，通过长期供货协议锁定量价，反映真实产业趋势。机构预测，2026年第一季度DRAM与NAND闪存的合约价仍将大幅上涨，部分季度涨幅可达90%，创历史新高。
这轮紧缺的核心驱动力来自人工智能。英伟达等厂商对HBM的强劲需求，迫使原厂将先进制程产能优先配置给高带宽存储器，传统DRAM扩产意愿低迷。即便智能手机、汽车等终端需求疲软，DRAM现货价在过去数月仍飙升超600%，NAND亦因数据中心海量数据存储需求而同步走强。
然而一边是海水一边火焰，终端厂商正深陷盈利泥潭。高通警告内存供应受限将压抑智能手机产量，股价单日重挫逾8%；任天堂示警毛利率遭侵蚀，创下18个月最大单日跌幅；罗技因芯片成本上升叠加PC需求转弱，股价自高点回落约三成；比亚迪、小米等中国大陆制造商亦受拖累。存储芯片价格已从财报季的“背景因素”，一跃成为主导企业前景的核心变量。Saxo首席投资策略师指出：“存储芯片价格真正从幕后话题变成了本业绩期的头条。”
与终端厂商的困境形成鲜明对比，存储芯片制造商成为科技股中的突出赢家。作为英伟达HBM关键供应商，SK海力士股价自去年9月底以来暴涨超160%；生产常规芯片的厂商涨幅更为惊人：日本铠侠控股与中国台湾南亚科技均上涨约280%，西数涨幅更超过400%，而高通、任天堂、罗技及苹果供应链企业却因成本飙升、产量受限而股价重挫，消费电子制造商指数同期下跌12%。投资者正围绕企业的成本传导能力与供应链保障水平重新定价——能否通过产品提价、设计优化或长期协议锁定供应，成为生存关键。
市场最大的分歧在于对“超级周期”持续时间的判断。富达国际基金经理Vivian Pai警示，当前估值普遍预期供应紧张将在一两个季度内缓解，但实际情况可能延续至2026年底，“最严峻的影响可能尚未完全显现”。GAM投资管理基金经理Jian Shi Cortesi强调，当前周期在长度与幅度上均已超越历史3–4年的平均水平，“我们没有看到需求势头减弱的迹象”。在这场由AI重塑的存储器革命中，夕阳产品终将回归合理价值，而掌握高端供给与技术迭代能力的厂商，方能在长达数年的结构性牛市中持续领跑。当炒作退潮、泡沫破裂，真正的产业逻辑才清晰浮现：存储器已不再是普通元器件，而是决定AI时代算力格局的战略资源。
最后我们听听沃伦·巴菲特（Warren Buffett）怎么说的，他说：“当潮水退去，才知道谁在裸泳。”
在中国现货市场，曾领涨行情的DDR4内存价格近期断崖下跌。KST 16GB型号从最高925元回落至845元。这一剧烈波动终结了过去一年DRAM整体涨幅高达613%（150元涨到920元）的炒作神话。此轮崩跌并非偶然，而是多重因素共振的结果：首先，DDR5在PC与服务器领域的渗透率已高达70%–80%，DDR4实际需求占比不足三成，仅存于医疗设备、工业控制等长周期利基市场；其次，此前因三星、SK海力士等大厂为全力押注高利润HBM而削减DDR4产能，被华强北等通路商放大为“长期缺货”预期，引发恐慌性囤货与资本控盘，催生严重偏离基本面的价格泡沫；更荒诞的是，一度出现性能落后的DDR4价格反超DDR5的“倒挂”现象。如今，随着主流整机厂加速平台切换、国产厂商释放新一代DDR4产能，以及投机资金急于回笼，泡沫开始受到挤压，随着时间的推移最后泡沫终将破裂。历史经验表明，类似DDR3换代时期的囤货潮，最终往往以惨烈亏损收场。
然而，即使DDR4现货市场的退潮，并未撼动整个存储器行业的上行逻辑，反而凸显了AI驱动的“超级周期”之坚挺。关键在于区分现货价与合约价：前者面向中小客户、零散采购，易受情绪与短期供需扰动；后者则面向微软、谷歌、亚马逊、苹果、华为、小米等头部客户，通过长期供货协议锁定量价，反映真实产业趋势。机构预测，2026年第一季度DRAM与NAND闪存的合约价仍将大幅上涨，部分季度涨幅可达90%，创历史新高。
这轮紧缺的核心驱动力来自人工智能。英伟达等厂商对HBM的强劲需求，迫使原厂将先进制程产能优先配置给高带宽存储器，传统DRAM扩产意愿低迷。即便智能手机、汽车等终端需求疲软，DRAM现货价在过去数月仍飙升超600%，NAND亦因数据中心海量数据存储需求而同步走强。
然而一边是海水一边火焰，终端厂商正深陷盈利泥潭。高通警告内存供应受限将压抑智能手机产量，股价单日重挫逾8%；任天堂示警毛利率遭侵蚀，创下18个月最大单日跌幅；罗技因芯片成本上升叠加PC需求转弱，股价自高点回落约三成；比亚迪、小米等中国大陆制造商亦受拖累。存储芯片价格已从财报季的“背景因素”，一跃成为主导企业前景的核心变量。Saxo首席投资策略师指出：“存储芯片价格真正从幕后话题变成了本业绩期的头条。”
与终端厂商的困境形成鲜明对比，存储芯片制造商成为科技股中的突出赢家。作为英伟达HBM关键供应商，SK海力士股价自去年9月底以来暴涨超160%；生产常规芯片的厂商涨幅更为惊人：日本铠侠控股与中国台湾南亚科技均上涨约280%，西数涨幅更超过400%，而高通、任天堂、罗技及苹果供应链企业却因成本飙升、产量受限而股价重挫，消费电子制造商指数同期下跌12%。投资者正围绕企业的成本传导能力与供应链保障水平重新定价——能否通过产品提价、设计优化或长期协议锁定供应，成为生存关键。
市场最大的分歧在于对“超级周期”持续时间的判断。富达国际基金经理Vivian Pai警示，当前估值普遍预期供应紧张将在一两个季度内缓解，但实际情况可能延续至2026年底，“最严峻的影响可能尚未完全显现”。GAM投资管理基金经理Jian Shi Cortesi强调，当前周期在长度与幅度上均已超越历史3–4年的平均水平，“我们没有看到需求势头减弱的迹象”。在这场由AI重塑的存储器革命中，夕阳产品终将回归合理价值，而掌握高端供给与技术迭代能力的厂商，方能在长达数年的结构性牛市中持续领跑。当炒作退潮、泡沫破裂，真正的产业逻辑才清晰浮现：存储器已不再是普通元器件，而是决定AI时代算力格局的战略资源。
最后我们听听沃伦·巴菲特（Warren Buffett）怎么说的，他说：“当潮水退去，才知道谁在裸泳。”
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