华邦电总经理惊喊DRAM缺口“大到补不完”！预判年中报价飙涨近4倍

人工智能应用全面爆发，正以前所未有的强度拉动存储器需求，全球DRAM市场陷入深度结构性短缺。中国台湾存储器大厂华邦电总经理陈沛铭在近日法说会上直言，当前DDR4供应缺口“大到不晓得怎么补起来”，即便公司全力扩产，短期内仍难以缓解。他预估，2026年存储器价格将逐季走高，到年中报价有望达到2025年底的近4倍，其中本季涨幅约90%至95%，第二季仍将维持类似升幅。
此轮涨价并非短期波动，而是由AI驱动的长期结构性转变。随着数据中心、企业服务器及边缘AI设备大规模部署，系统对内存容量与带宽的需求激增。而三星、SK海力士、美光等国际大厂将产能集中于高利润的HBM与DDR5，大幅削减传统DDR4投片量，导致成熟制程产品严重供不应求。陈沛铭特别指出，SLC NAND闪存因供给更为紧张，实际涨幅甚至超过DRAM，整个存储器市场已进入全面缺货状态。  
受惠于价格飙升与产品结构优化，华邦电财务表现强势反转。2025年第四季度税后纯益达34.22亿元台币，单季盈利即超越前三季总和，并实现同比扭亏为盈，每股纯益0.76元；全年获利31.77亿元，年增近3.5倍，每股纯益0.88元，创近三年新高。董事会已决议每股配发0.5元现金股利。更值得关注的是，公司预估2026年第一季度毛利率将突破46.9%，后续季度获利有望持续爆发。
为应对紧缺局面，华邦电正加速产能扩张。董事会已核准追加24亿元资本支出，连同此前46亿元，总计约70亿元用于台中厂NOR/NAND闪存产能扩充，预计5月装机、7月投片、9月产出，月增产能约1万片，全年位元出货量可望增长30%–40%。同时，DRAM产能正向高雄厂集中，首批16纳米高端设备将于2026年5–6月装机，重点生产8Gb/16Gb DDR4与LPDDR4，支撑未来高密度产品线，并力争良率提升至90%以上，2027年实现大规模量产。
陈沛铭强调，华邦电在NOR Flash领域稳居全球第一，SLC NAND则聚焦代码存储等利基市场，在同业逐步退出背景下，凭借46纳米、32纳米及最新24纳米技术持续扩大份额，目标成为全球龙头。面对AI基础设施尚未完全落地、传统内存持续缺货的格局，公司对2027年前的成长前景持审慎乐观态度——这场由AI点燃的存储器超级周期，才刚刚进入主升浪。