三星率先量产HBM4，1c DRAM与4nm逻辑制程双剑合璧

在AI存储竞赛中沉寂多时的三星电子，终于凭借HBM4实现强势反超。2026年初，三星宣布全球首发量产并出货HBM4产品，传输速度高达11.7Gbps，最高可达13Gbps，远超JEDEC标准的8Gbps。这一突破得益于其独有的技术整合：采用第六代10纳米级（1c）DRAM制程制造存储单元，并首次引入4纳米逻辑制程打造基础晶粒（Base Die），实现内存与逻辑的深度协同。
三星此次不仅追求性能极限，更着眼生态主导权。其HBM4单堆叠带宽达3.3TB/s，是HBM3E的2.7倍；通过12层或16层堆叠，提供24GB至48GB容量选项；同时优化电源分布网络与TSV结构，功耗降低40%，散热效率提升30%。更重要的是，三星凭借IDM（集成器件制造）模式，无需依赖外部代工厂即可完成HBM4全链条生产，相较需与台积电合作的SK海力士，在良率控制、交付周期和定制化能力上占据显著优势。公司已公布明确路线图：HBM4即刻量产，HBM4E将于2026年下半年送样，2027年推出客制化HBM。此举标志着三星正全力夺回“内存王者”地位，并借AI浪潮重塑全球存储器格局。