韩媒：良率瓶颈与设备限制制约国产DRAM突围

据韩媒报道，在国产半导体加速自主化的进程中，国产DRAM厂正面临严峻挑战。尽管其12英寸晶圆月产能已于2024年第四季度攀升至约24万片，达到阶段性峰值，但实际产出却因良率低下和外部设备限制而难以有效释放，2025年产能扩张已明显放缓。

据机构数据显示，当前其DRAM年产能约为三星的三分之一、SK力士的一半，在全球市场中仍处追赶地位。虽然2024年产量较前一年实现翻倍，初步形成规模效应，但进入2025年后，增长动能显著减弱。业内普遍认为，这一停滞主要源于两大制约：一是先进半导体设备获取受限，二是制造良率远低于国际领先水平。

由于极紫外（EUV）光刻机等关键设备受到限制，使国产向10纳米级以下先进制程演进面临障碍。一位行业人士指出，DRAM工艺复杂度远高于NAND闪存，进入早期10纳米节点后，对精密设备和材料的依赖急剧上升，使得技术升级路径充满挑战。

机构数据显示，良率问题方面，截至2024年，国产主力1x纳米（第一代10纳米级）DRAM工艺的量产良率仅约50%，比三星、SK海力士成熟的1a纳米工艺低42个百分点。

国产DRAM的突围不仅是一场技术攻坚战，更是一场关乎产业链韧性的长期博弈。