国产存储扩产能压垮市场？潘健成怒怼：那是梦话！这是一辈子只有一次的超级周期
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-02-14
“有人说中国大陆存储厂商扩产会让价格崩盘，讲这些话的人，是在讲梦话。”中国台湾半导体厂群联电子董事长潘健成在近期访谈中一针见血地怒怼指出。面对市场上关于CJCC与CXCC产能释放将冲击全球存储市场的担忧，他用三重逻辑彻底驳斥了这一观点。
首先，扩产需要时间。从建厂、设备到位到良率爬坡，最快也要两年。即便中国大陆厂商全力推进，新增产能也仅能填补全球3%–5%的供给缺口，而当前AI驱动的DRAM与NAND需求缺口高达10%–20%，远非新增产能所能覆盖。其次，中国大陆自身就是全球最大的电子产品制造基地，电视、智能手机、笔记本电脑等终端生产高度依赖稳定存储供应，新增产能优先满足内需，根本无余力“倾销”国际市场。第三，当前全球存储市场已进入卖方主导阶段——原厂要求客户预付三年现金才供货，连台积电都未对英伟达提出如此条件，足见供需失衡之严重。
潘健成进一步强调：“很多人只看到‘产能数字’，却看不到‘有效产出’。”他指出，大陆国产替代虽在加速建设，但受限于先进设备获取困难、制程良率偏低等问题，实际可转化为商品的芯片数量远低于账面产能。以CXCC为例，其1x纳大陆米DRAM工艺良率仅约50%，比国际大厂成熟节点低40多个百分点，“装机再多，做不出来等于零。”更关键的是，中国大陆制造业正面临“有订单、无芯片”的困境——若存储器无法及时供应，整机组装线就得停工，直接影响就业与出口。“这种情况下，谁会把好不容易产出的芯片低价抛向国际市场？先保自家工厂运转才是现实选择。”
他还提醒，全球存储产业已从“周期性 commodity”转向“结构性紧缺”。过去靠扩产打价格战的逻辑不再适用，因为AI服务器、HBM、企业级SSD等高价值产品对技术门槛、交付稳定性要求极高，新进者难以短期切入。即便中国厂商未来提升良率，其初期产能也将优先用于国产替代和战略客户绑定，而非冲击消费级现货市场。“现在连我们这种跟原厂合作十几年的老伙伴都要排队求货，普通模组厂拿什么去拼？”
事实上，真正的压力来自AI本身。潘健成算了一笔账：英伟达即将量产的Rubin GPU，单颗需配置超20TB SSD，若出货一千万颗，将消耗全球NAND年产能的20%。这还只是GPU本体，其运行产生的数据还需二次存储，真实需求更为庞大。2026年，美国四大云服务商资本支出预计超6000亿美元，全部涌向数据中心，直接推高DRAM与闪存价格。eMMC 8GB芯片价格从1.5美元飙至20美元，涨幅超13倍，群联对客户的供货满足率不足三成，连自身测试平台都因缺DRAM而延期。
消费电子正成为牺牲品。手机全年产量或减少2亿–2.5亿部，低端电视因存储成本占整机BOM超20%而难以为继，部分产品线或将停产。但潘健成指出，这场危机尚未见顶——目前缺货几乎全由美国云厂商驱动，中国AI数据中心尚未大规模启动，边缘AI、教育、工业等场景更未发力。“三个巨大需求区块还没进场，就说要崩盘？”
行业扩产亦受物理限制。过去五年存储厂商经历惨烈亏损，扩产态度极度保守。3D NAND堆叠层数越高，设备越贵、周期越长。阿斯麦光刻机等关键设备排队交付，新建晶圆厂从动工到量产最快需两年。美光新加坡新厂2028年才投产，三星、SK海力士节奏类似。机构预测，存储短缺至少持续至2027年，有原厂内部报告甚至看至2030年。
在此背景下，铠侠已打破长期合同枷锁，2026年Q1 NAND ASP环比大涨50%–90%，毛利率冲至66%；三星、SK海力士NAND业务利润率同步跃升。HBM4验证也将在Q2完成，三星、SK海力士、美光将共同供应英伟达，形成三足鼎立格局。
值得注意的是，铠侠的翻身不仅关乎自身，更为整个NAND行业释放了强劲信号。Daishin Securities指出，铠侠从2026年第一季度开始执行修订后的定价政策，预计北美主要客户的平均销售价格(ASP)将环比飙升约50%。这标志着铠侠终于打破了此前因长期合同约束而被迫以低于市场水平供货的局面，也意味着移动NAND ASP正在恢复正常水平。摩根士丹利更为激进地预计，铠侠一季度ASP将环比飙升近90%，调整后毛利率将达到66%，追平行业标杆水平。
与此同时，HBM4的验证进展也备受关注。根据机构最新研究，随着AI基础设施扩张，对应的GPU需求也不断成长，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。目前三大内存原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计于2026年第二季陆续完成。其中，三星凭借最佳的产品稳定性，预期将率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上，可望形成三大厂供应英伟达HBM4的格局。
潘健成总结：“这是一辈子只有一次的超级周期。”AI斜率之陡前所未有——PC普及用了20年，智能手机用了10年，AI仅三年半就引爆全球基建。真正的机会，属于那些能在风暴中活下来、并持续打磨技术的企业。至于“中国大陆扩产压垮市场”的论调，不过是不了解产业现实的空想。
首先，扩产需要时间。从建厂、设备到位到良率爬坡，最快也要两年。即便中国大陆厂商全力推进，新增产能也仅能填补全球3%–5%的供给缺口，而当前AI驱动的DRAM与NAND需求缺口高达10%–20%，远非新增产能所能覆盖。其次，中国大陆自身就是全球最大的电子产品制造基地，电视、智能手机、笔记本电脑等终端生产高度依赖稳定存储供应，新增产能优先满足内需，根本无余力“倾销”国际市场。第三，当前全球存储市场已进入卖方主导阶段——原厂要求客户预付三年现金才供货，连台积电都未对英伟达提出如此条件，足见供需失衡之严重。
潘健成进一步强调：“很多人只看到‘产能数字’，却看不到‘有效产出’。”他指出，大陆国产替代虽在加速建设，但受限于先进设备获取困难、制程良率偏低等问题，实际可转化为商品的芯片数量远低于账面产能。以CXCC为例，其1x纳大陆米DRAM工艺良率仅约50%，比国际大厂成熟节点低40多个百分点，“装机再多，做不出来等于零。”更关键的是，中国大陆制造业正面临“有订单、无芯片”的困境——若存储器无法及时供应，整机组装线就得停工，直接影响就业与出口。“这种情况下，谁会把好不容易产出的芯片低价抛向国际市场？先保自家工厂运转才是现实选择。”
他还提醒，全球存储产业已从“周期性 commodity”转向“结构性紧缺”。过去靠扩产打价格战的逻辑不再适用，因为AI服务器、HBM、企业级SSD等高价值产品对技术门槛、交付稳定性要求极高，新进者难以短期切入。即便中国厂商未来提升良率，其初期产能也将优先用于国产替代和战略客户绑定，而非冲击消费级现货市场。“现在连我们这种跟原厂合作十几年的老伙伴都要排队求货，普通模组厂拿什么去拼？”
事实上，真正的压力来自AI本身。潘健成算了一笔账：英伟达即将量产的Rubin GPU，单颗需配置超20TB SSD，若出货一千万颗，将消耗全球NAND年产能的20%。这还只是GPU本体，其运行产生的数据还需二次存储，真实需求更为庞大。2026年，美国四大云服务商资本支出预计超6000亿美元，全部涌向数据中心，直接推高DRAM与闪存价格。eMMC 8GB芯片价格从1.5美元飙至20美元，涨幅超13倍，群联对客户的供货满足率不足三成，连自身测试平台都因缺DRAM而延期。
消费电子正成为牺牲品。手机全年产量或减少2亿–2.5亿部，低端电视因存储成本占整机BOM超20%而难以为继，部分产品线或将停产。但潘健成指出，这场危机尚未见顶——目前缺货几乎全由美国云厂商驱动，中国AI数据中心尚未大规模启动，边缘AI、教育、工业等场景更未发力。“三个巨大需求区块还没进场，就说要崩盘？”
行业扩产亦受物理限制。过去五年存储厂商经历惨烈亏损，扩产态度极度保守。3D NAND堆叠层数越高，设备越贵、周期越长。阿斯麦光刻机等关键设备排队交付，新建晶圆厂从动工到量产最快需两年。美光新加坡新厂2028年才投产，三星、SK海力士节奏类似。机构预测，存储短缺至少持续至2027年，有原厂内部报告甚至看至2030年。
在此背景下，铠侠已打破长期合同枷锁，2026年Q1 NAND ASP环比大涨50%–90%，毛利率冲至66%；三星、SK海力士NAND业务利润率同步跃升。HBM4验证也将在Q2完成，三星、SK海力士、美光将共同供应英伟达，形成三足鼎立格局。
值得注意的是，铠侠的翻身不仅关乎自身，更为整个NAND行业释放了强劲信号。Daishin Securities指出，铠侠从2026年第一季度开始执行修订后的定价政策，预计北美主要客户的平均销售价格(ASP)将环比飙升约50%。这标志着铠侠终于打破了此前因长期合同约束而被迫以低于市场水平供货的局面，也意味着移动NAND ASP正在恢复正常水平。摩根士丹利更为激进地预计，铠侠一季度ASP将环比飙升近90%，调整后毛利率将达到66%，追平行业标杆水平。
与此同时，HBM4的验证进展也备受关注。根据机构最新研究，随着AI基础设施扩张，对应的GPU需求也不断成长，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。目前三大内存原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计于2026年第二季陆续完成。其中，三星凭借最佳的产品稳定性，预期将率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上，可望形成三大厂供应英伟达HBM4的格局。
潘健成总结：“这是一辈子只有一次的超级周期。”AI斜率之陡前所未有——PC普及用了20年，智能手机用了10年，AI仅三年半就引爆全球基建。真正的机会，属于那些能在风暴中活下来、并持续打磨技术的企业。至于“中国大陆扩产压垮市场”的论调，不过是不了解产业现实的空想。
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