美光加速扩产应对40年来最严峻存储器短缺

在全球人工智能（AI）浪潮的强力驱动下，存储器市场正经历自1980年代以来最严重的供需失衡。作为全球三大存储芯片巨头之一，美光科技已全面启动史上最大规模的产能扩张计划，以应对DRAM与高带宽存储器（HBM）持续飙升的需求。公司宣布将在美国本土投入总计2000亿美元，其中500亿美元用于扩建其位于爱达荷州博伊西的总部园区，将占地450英亩的基地扩大一倍以上，并新建两座晶圆厂。首座工厂预计于2027年中开始量产DRAM，两厂全部投产时间定于2028年底。此外，美光还在纽约州雪城附近启动一个价值1000亿美元的全新晶圆厂园区，创下该州历史上最大规模的私人投资纪录。海外方面，公司已于2025年底在日本广岛敲定96亿美元的建厂计划，显示出其全球布局的战略决心。这一轮扩产背后，是AI基础设施建设带来的爆炸性需求。随着亚马逊、谷歌、Meta等云服务商2026年资本支出合计高达6500亿美元，对HBM和服务器级DRAM的争夺已进入白热化阶段。美光高管坦言，当前对关键客户的订单满足率仅达50%至67%，大量企业正主动寻求签订多年期供应合约以锁定产能。数据显示，自2025年9月以来，DDR5芯片价格已暴涨近500%，短缺已从高端HBM蔓延至整个存储器市场。美光预计本季度毛利率将达68%，逼近英伟达图形处理器的盈利水平。尽管有市场传言称其HBM4未能进入英伟达下一代供应链，但公司迅速澄清：HBM4与HBM3e产能已全部售罄至2026年底，且正在向客户批量出货。美光强调，新建晶圆厂从设备安装、试产到通过AI客户严苛认证，往往需耗时数年，因此即便2027年投产，真正形成有效供给仍要等到2028年后，这意味着本轮“内存末日”式的高价周期或将持续至少三年。