三星：2D NAND谢幕，1c DRAM+HBM4双线突围

三星正式官宣，韩国华城工厂12号线将于3月停止2D NAND生产，这条运行24年的产线将改建为1c DRAM终端晶圆厂，月产能可达8万-10万片12英寸晶圆，标志着三星彻底终结2D NAND时代。
此举背后是明确的战略转向：2D NAND仅用于U盘等低端存储设备，市场需求微乎其微，而1c DRAM作为最新一代DRAM，是HBM4的核心载体，当前AI服务器需求爆发导致其供应紧张。据悉，三星1c DRAM良率已突破80%，高温环境下最高良率达80%，预计5月将提升至90%，HBM4良率也接近60%，产能爬坡速度超预期。
目前，三星华城、平泽工厂正加速扩产1c DRAM，平泽P4晶圆厂已调整为专注DRAM生产，华城多条产线也在同步转型，未来1c DRAM将占据三星DRAM总产能的重要份额。同时，三星已启动HBM4出货，其速率最高达13Gbps，远超行业8Gbps标准，预计今年HBM收入将同比增长三倍。
韩国本土NAND产能的下降，将由中国西安晶圆厂的3D NAND扩产来抵消，三星正升级西安厂产线，全力推进下一代3D NAND量产，兼顾高端存储市场布局。