内存厂威刚陈立白直言:DRAM内存缺货2年无解,NAND闪存缺口更大
内存厂威刚陈立白直言:DRAM内存缺货2年无解,NAND闪存缺口更大;
云服务商CSP抢货+雷军急呼手机业务承压
全球存储芯片市场正经历前所未有的“超级周期”。在人工智能(AI)算力需求的爆发式驱动下,DRAM与NAND闪存供需严重失衡,价格持续飙升。中国台湾内存厂家威刚科技董事长陈立白在最新法说会上直言,内存缺货局面两年内难解,尤其下半年NAND缺口将超越DRAM。从原厂库存告急到云端服务商(CSP)亲自上门抢货,这场由AI引发的存储风暴正重塑整个产业链格局,手机、汽车等终端厂商面临巨大成本压力。
一、缺货常态:两年内无解,NAND缺口恐超DRAM
威刚科技董事长陈立白在法说会上发出明确预警:内存缺货问题在未来两年内无法解决。这一观点与南亚科总经理李培瑛的看法不谋而合。
过去市场普遍预期DRAM涨幅会高于NAND闪存,但随着生成式AI从训练阶段走向推论应用,企业级固态硬盘(SSD)需求激增,局势发生逆转。陈立白指出,今年NAND闪存的涨势将高于DRAM,且下半年NAND的供应缺口甚至会比DRAM更大。
尽管农历年前曾有少数厂商因现金流需求进行少量出货,但年后整体供给紧张的局面并未改变。从报价趋势来看,价格持续稳步上涨,市场需求热度丝毫未减。陈立白强调,无论是DRAM还是NAND,今年均无明显供过于求的风险,反而在原厂产能扩张保守、资本支出控制严格的背景下,供给端难以快速回补,价格具备极强的支撑力。
二、卖方市场确立:原厂库存见底,巨头预付三年货款
当前的存储市场已彻底转变为“卖方市场”。据威刚透露,目前内存原厂的库存水位已降至约3至5周的历史低点。更令人震惊的是,部分NAND原厂甚至要求客户预付三年货款,足见产业供需之紧绷。
在这种背景下,采购逻辑发生了根本性变化。大型科技公司不再将价格作为首要考量,而是优先确保货源与算力部署。陈立白透露,威刚近期不仅既有客户积极追加订单,更有新的大型客户主动上门接洽,包括美系与中系的云端服务业者(CSP),希望能建立长期合作关系,甚至提前洽谈未来年度供货。
“连云端服务业者都直接上门抢货,”陈立白形容道,今年存储器市场将呈现“从年头好到年尾”的强劲景气。甚至有声音预测这股旺势可能延续至2027年甚至2028年,但至少2026年是扎扎实实地“一路缺”。
三、AI驱动结构性成长:企业级存储成新引擎
与过往单纯的景气循环不同,陈立白分析认为,AI时代下的存储器市场正转向结构性成长。
随着生成式AI、大型语言模型与高效运算架构持续导入企业场域,数据存取与储存容量需求同步放大。除了高带宽存储器(HBM)备受瞩目外,数据中心对高容量NAND的需求也快速提升。业者指出,未来AI相关应用出货量将逐季放大,尤其在企业与云端市场端,需求能见度相对清晰。
在产品结构上,威刚预计未来一至两个季度内,NAND有望出现补涨行情,成长动能逐步追上DRAM。这背后主因在于AI应用快速扩散,带动企业级储存需求攀升,企业级SSD与高性能储存解决方案需求明显增温。威刚旗下企业级品牌TRUSTA目前已有8至10家大型客户进入送样与验证阶段,预计第二季客户数量将进一步增加,目标今年第四季企业级产品营收占DRAM与NAND闪存总营收比重达5%至10%。
四、中国存储力量崛起:但短期难填全球缺口
面对全球缺货潮,中国大陆存储厂商的扩产动态备受关注。陈立白对此分析指出,CJCC与CXCC扩产都非常积极,但短期内对全球供需格局影响有限。
他具体谈到,CJCC在全球市占率仍低,即使增加30%产能,对全球影响约为2%~3%,仍无法填补整个缺口。至于CXCC积极扩产,今年对全球影响不大,预期三年之内影响可能都还相当有限。这意味着,全球存储市场的供不应求局面,在短期内难以通过新增产能得到根本缓解。
五、威刚营运创新高:拟一年配息两次,加速全球扩产
在市场利多的推动下,威刚营运表现亮眼。公司2025年全年每股纯益达23.18元新台币,刷新纪录。单看2025年第四季,毛利率跳增至48.41%,税后净利年增逾12倍。
陈立白大胆预期,威刚今年第一季毛利率可望优于去年第四季的48%,主要受惠于报价上扬与产品组合改善。公司目前享有相当大的低价库存利益,现有低价库存可支撑约7至8个月出货。截至2月底,威刚库存金额已突破300亿元,提前达成原定目标,预计3月底将进一步提升至350亿元以上。
鉴于对上半年获利充满信心,威刚董事会通过每股拟配发17元现金股利,并评估今年4月下旬即可发放。公司更考虑首次实施一年发放两次配息的政策。
为应对持续增长的需求,威刚最快将于下半年启动扩产计划,包括扩充巴西厂产能,并不排除在印度新增生产基地。同时,公司今年研发投入预算预计较去年增加超过五成,达12亿至15亿元水平,并规划在南部增设AI应用实验室,强化企业级与AI相关产品开发能力。
六、产业链震荡:手机厂商承压,SRAM传闻引发误读
存储芯片价格的暴涨已传导至终端消费市场。小米集团创始人雷军近日公开表示,AI需求暴涨引发存储芯片价格暴涨,手机业务面临很大压力。数据显示,截至2026年1月,全球DRAM和NAND闪存价格均创下自2016年有统计数据以来的最高值,部分DDR4颗粒现货价格累计涨幅高达369%。
供应链消息显示,三星电子与SK海力士已向客户下发通知,2026年第二季度或继续大幅上调DRAM内存价格,DDR5颗粒统一涨价约40%。业内人士预测,3月之后发布的新品手机,涨价幅度将明显扩大,中高端旗舰机型涨幅可能达到2000-3000元。
此外,针对近期市场传闻“英伟达将推出基于SRAM架构的新推理芯片,可能冲击HBM和DRAM需求”,导致韩国内存股剧烈波动一事,机构分析指出这是市场误读。
根据独立分析机构KIS的观点,SRAM并非HBM或DRAM的替代品。由于物理特性限制,SRAM成本极高,仅适用于超低延迟的特定场景(如边缘AI、机器人),而无法替代作为主内存的DRAM和HBM。KIS强调,涵盖SRAM、HBM和DRAM的内存层级将变得越来越具有多层次性,最终将推动整个内存行业总潜在市场的扩张,而非缩减。
结语
在AI浪潮的席卷下,存储芯片产业正迎来一个漫长而强劲的上升周期。对于产业链上下游而言,如何在缺货常态下优化供应链、调整产品策略,将是未来两年的关键课题。而对于普通消费者来说,电子产品价格上涨或许将成为这一轮技术革命不得不付出的代价。






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