英伟达“扫货令”：DRAM扩多少，我就吃多少

在供应链紧绷的背景下，英伟达执行长黄仁勋在摩根士丹利科技大会上的一席话，为存储产业注入了强心剂。面对内存供给短缺，黄仁勋直言这对英伟达是“极好的消息”，因为资源受限会促使客户更谨慎地选择性能最强的解决方案。
他更向存储器厂发出明确信号：“DRAM厂尽管去扩产，因为扩增产能多少，我们（英伟达）就会用掉多少产能。”
业界分析，这番表态旨在为即将问世的Vera Rubin平台预作准备。新一代AI芯片对内存的需求呈指数级增长，以GB300为例，其支持的HBM容量高达288GB，远超GB200的192GB。随着技术推进至HBM4，堆叠层数从12层增至16层，产能耗损率上升，对DRAM的消耗量将更加庞大。
尽管三星、SK海力士及美光等三大DRAM厂已着手扩产，但新增产能主要聚焦于HBM及企业级DRAM。机构预测，至少一年内，消费性DRAM的供给短缺仍无解，而HBM、数据中心用LPDDR4/LPDDR5及新世代DDR6的价格恐将持续看涨。受此利好驱动，鸿海、广达、纬创等代工伙伴的接单动能也被看好持续升温。