SK海力士：内存上行周期预计将比预期更长！HBM4霸权争夺战白热化

核心信号：摩根大通力挺，内存上行周期超预期

2026年3月8日，摩根大通在韩国大会上发布研报，记录了SK海力士管理层的核心表态，同时维持对SK海力士的增持评级，目标价125万韩元，较当前92.6万韩元的股价隐含约35%的上行空间。管理层在大会上罕见释放强烈信号，明确内存上行周期持续时间将超出市场预期，DRAM和NAND两端均面临严峻供需缺口，且供应商及渠道客户库存均低于平均水平，出货量位增长与产量位增长基本持平。

周期延长三大驱动，HBM4量产节奏不变

SK海力士管理层进一步阐述，定制化内存解决方案的崛起、HBM带来的晶圆与供给经济学变化，以及AI推理需求向传统DRAM和NAND延伸，是内存上行周期延长的三大核心驱动因素。其中，HBM业务作为核心增长引擎，其HBM4量产爬坡时间表保持不变，摩根大通预计HBM4位元出货量将在2026年第三季度实现交叉，SK海力士也重申将维持与去年相近的HBM业务盈利水平，同时依托与生态伙伴的深度协作及清晰的技术路线图，稳固HBM领域的领导地位。

LTA成关键筹码，平衡客户结构稳现金流

投资者对长期供货协议（LTA）及周期持续性表现出浓厚兴趣，SK海力士管理层表示，当前存储器行业正处于商业模式转型阶段，维持存储器上行周期是首要战略优先级。LTA作为锁定收入确定性的关键，多为三年以上的多年期协议，核心是通过更具约束力的双边协议，锁定供货量和价格区间，提升收入与现金流可见性。摩根大通判断，SK海力士正采取均衡的LTA策略，在B2B与B2C客户结构间寻求平衡，同时保持相对保守的定价策略。

产能规划：22兆韩元加码，龙仁基地加速推进

在产能规划方面，SK海力士推行“工厂优先”战略，披露了约22兆韩元的基础设施资本开支计划，核心聚焦龙仁基地的分阶段推进。其中，龙仁1号厂第一阶段量产时间表提前三个月，公司正全力推进基础设施和洁净室建设，剩余2至6阶段将在2028年至2030年间逐步就绪，其设计产能高于摩根大通此前预估的27万至35万片/月区间，实际产能规模将受存储楼设计及1dnm制程部署时间表影响。据悉，这笔资本开支计划将用于龙仁半导体产业集群的工厂建设，投资期为2026年3月至2030年12月。

股东回报升级，释放周期信心

股东回报方面，SK海力士展现出更进取的态度，2026年1月已宣布1兆韩元特别股息及库存股注销计划，在确立实现净现金头寸首要目标的基础上，保留提前分配额外股东回报的灵活性，这也释放出管理层对本轮内存周期强度和长度的强烈信心。

白热化竞争：SK海力士全力攻坚HBM4主导权

在AI时代全面爆发的背景下，HBM4作为支撑全球AI基础设施的核心零部件，成为全球内存大厂的竞争焦点，SK海力士与三星电子的HBM4主导权争夺战已进入白热化阶段，这场竞争不仅关乎两家企业的行业地位，更深刻影响韩国经济走向。为抢占市场先机，SK海力士已启动HBM4首批量产，考虑到HBM4从生产到交货需约6个月时间，此举也是为了在主要客户英伟达完成质量测试前抢占先机。

规格挑战与供应预期：英伟达或放宽效能要求

不过，英伟达对HBM4提出了极高的规格要求，单个引脚传输速度需达到11.7Gbps，远超原本8Gbps的标准，导致SK海力士在2.5D封装测试中遭遇效能瓶颈，2026年初仍在持续改善部分电路，使得大规模量产时程略有延后。但业界普遍认为，SK海力士向英伟达供应HBM4出现重大波折的可能性极低，因为若英伟达坚守极端高规格，将严重限制其2026年下半年新型AI加速器Rubin的供应量，而三星电子短期内也难以大幅扩张HBM4供应量，因此市场预计英伟达可能将初期采购的HBM4效能条件放宽至10Gbps等级。

技术破局：全新封装技术推进，有望颠覆产业链

目前限制HBM4效能提升的核心瓶颈的是输入/输出端子（I/O）数量的急剧扩张，而SK海力士因采用前一代1b（第五代10纳米级）DRAM，且底层逻辑裸片采用台积电12纳米制程，相比三星电子的自家4纳米制程，电路整合度较低，面临更严苛的技术挑战。为突破这一物理与效能极限，SK海力士正推进一项全新封装技术，核心是增加部分上层DRAM厚度、缩减DRAM间间距，既解决传统薄化制程导致的芯片效能衰退和易受损问题，又能缩短数据传输路径、降低电力损耗，目前该技术正处于密集验证阶段，且内部测试已取得积极成果。这项技术的关键的是在极度压缩的DRAM间隙中稳定注入MUF（模制底部填充剂）材料，SK海力士已研发出对应解决方案，可在不进行大规模制程转换、不添购新设备的前提下，实现稳定高良率生产，若成功商业化，将对半导体产业链产生颠覆性影响。