美国内存危机达到沸点,看不到尽头！Counterpoint:AI狂潮下的“存储荒”要持续到2027年?普通用户恐无缘升级!

据朝鲜日报及多家权威机构报道，在中国农历新年假期期间，作为大宗商品的DRAM和NAND闪存价格飙升近三倍，存储芯片供应短缺危机进一步加剧。业内普遍预测，这一严峻局面至少将持续到明年下半年，甚至更久。

随着人工智能（AI）热潮引爆全球对存储半导体的需求，智能手机、笔记本电脑等主流IT设备成本被迫上扬。市场调研机构Omdia分析数据显示，移动DRAM产品（LPDDR）价格较2024年初上涨超过70%，智能手机NAND闪存价格更是翻倍，涨幅约100%。

机构Counterpoint Research在最新研讨会上披露了更为惊人的数据：64GB DDR5服务器DRAM模块价格较节前暴涨150%；12GB LPDDR5X移动内存价格上涨130%；即便是较老的8GB DDR4笔记本内存，价格也逆势增长了180%；NAND产品价格普遍上涨130%–150%。

美国市场的“至暗时刻”
危机已直接冲击终端消费者。在美国零售市场，曾经亲民的32GB（2×16GB）DDR5内存套件基准价已升至359.99美元。对比2024年11月约270-280美元的价格，短短数月涨幅高达33%。

02 根源剖析：AI吞噬产能，扩产速度追不上需求

为何会出现如此极端的供需失衡？核心原因在于AI服务器对高带宽内存（HBM）的狂热需求，挤占了传统低成本DRAM的生产资源。

机构Counterpoint Research研究员指出，尽管三星电子、SK海力士、美光、CXCC和南雅科技等主要厂商预计今年产量将增长约26%（NAND增长24%），但行业每年80万亿至90万亿韩元的资本支出仍难以填补巨大的需求缺口。由于HBM利润丰厚且需求迫切，厂商纷纷将产能优先分配给HBM，导致标准型存储器产能受限。

该研究员预测：“直到2027年下半年，实质性供应扩张仍将困难，解决短缺的时间点可能要等到2027年末。”这意味着，高价常态可能还将持续两年多。此外，虽然中东地缘政治风险目前对内存价格影响有限，但若能源价格长期高企，将通过增加数据中心运营和资本成本，间接推高半导体价格。

03 巨头博弈：HBM战场转移，中国力量崛起

在HBM市场，竞争焦点已从单纯的“市场份额”转向“盈利能力”。

与此同时，中国存储企业的崛起被视为最大的长期变量。机构分析指出，过去竞争对手主要是中国台湾企业，如今必须面对拥有政策支持和庞大内需市场的中国大陆企业。