三星HBM4E：2nm工艺绝地反击

在HBM市场曾被SK海力士超越的三星，正试图通过激进的工艺升级夺回失地。三星宣布将在下一代HBM4E内存中，将基底（Base Die）芯片直接升级至2nm工艺。
作为对比，三星当前HBM4仍采用4nm工艺，而SK海力士的基底芯片甚至还在使用台积电12nm工艺。升级至2nm后，HBM4E在发热控制、能效及芯片利用率上预计将有质的飞跃。随着Exynos 2600的量产，三星2nm工艺已获特斯拉追加订单，月产能有望翻倍至4万片，彻底摆脱过往“拉胯”的形象。