铠侠332层3D NAND来袭，闪存技术迎革命性突破

铠侠透露，将于今年提前量产采用332层架构的BiCS10 3D NAND芯片，以满足AI数据中心的高容量需求。原本计划2027年量产的项目因需求爆发而提速。为兼顾性能与成本，铠侠采取差异化策略：新建工厂专产332层旗舰芯片，现有工厂继续生产218层主流产品。
BiCS10不仅存储密度提升59%，读延迟缩短4微秒，功耗降低29%。其核心在于采用了创新的电压控制方法与CBA架构，显著提升了连续访问效率。虽然部分细节尚未官方证实，但铠侠的动作无疑给竞争对手施压，也为用户带来了更高性能、更低功耗的存储期待。闪存技术的军备竞赛已进入白热化阶段。