SK海力士的内存难题，要等到2028年才能破局？

AI热潮推动下，HBM（高带宽存储器）需求激增，SK海力士计划赴美上市融资100-140亿美元扩产，但即便融资顺利，“内存末日”困局仍难快速破解，分析称真正缓解或要等到2028年。
从硬件扩产路线来看，SK海力士的时间表并不乐观。其新厂M15X预计2027年中才能达到满载产能，每月可供应5万片12寸晶圆；龙仁半导体聚落一期厂房也将在2027年上半年完工，这意味着，即便融资到位，有效缓解内存供给压力的时间最快也要到2027年。
更关键的是，市场需求不会等待新厂竣工。未经官方确认的SK海力士内部分析显示，消费级DRAM供给增长至少落后需求至2028年，机构也警示新厂量产前DRAM合约价将持续上涨。目前HBM已占据内存厂四成先进晶圆产能，每颗HBM消耗晶圆是传统DRAM的三倍以上，消费级电子产能被压至历史低点。
这就形成了一个尴尬的矛盾：SK海力士越发力扩产HBM，普通消费者能买到的平价内存就越少。
除了硬件扩产，算法优化也被视为缓解内存需求的潜在方向。就在SK海力士宣布赴美上市的同一周，谷歌发布TurboQuant压缩算法，宣称可将大型语言模型内存占用减少至少6倍，消息一出，美股内存板块应声下挫，美光单日下跌约3%。
但业界普遍认为，TurboQuant技术短期影响有限。该技术仅作用于AI推理阶段KV缓存，不涉及训练环节，不会降低DRAM整体需求，反而可能降低AI部署门槛、提振长期需求。短期扩产仍不可避免，中长期技术普及或调整需求预期。
此外，SK海力士的融资举动也引发连锁反应，其主要股东呼吁三星电子跟进赴美发行ADR，缩小估值折扣。目前，三星正加速平泽厂扩建，追赶HBM4量产进度，试图抢占SK海力士主导的HBM市场，韩系半导体双雄的竞争，已从技术延伸至资本层面。
综合来看，2027年内存供给松动的预测过于乐观，新厂量产需6个月爬坡期，加之英伟达新一代AI加速平台Vera Rubin将于2026年下半年部署、拉升HBM4需求，消费端真正感受到供给缓解或要等到2028年。