大摩预警：传统NAND下半年缺口或达40%，旧世代存储优先级重塑

摩根士丹利（大摩）最新发布的「大中华半导体产业」报告明确示警，2026年下半年，旧世代MLC与TLC NAND将面临严重供给短缺，缺口预计达约40%，核心原因是全球主要供应商持续缩减成熟制程产能。大摩指出，传统闪存正成为「下一个DDR4」，存储器产业中旧世代NAND的优先级显著优于DDR4。
价格端，大摩预估MLC及成熟制程TLC价格2026年全年涨幅或超200%，核心支撑来自MLC相较TLC/QLC更高的耐用性，以及工业、企业级应用对价格敏感度较低的需求韧性。反观DDR4，价格涨势延续至3月后，中小型客户出现反弹，但供应商倾向出售库存而非延后出货，后续上行空间有限。
供给端，DDR4价格高涨引发产能调整：相关厂商计划2026年提升DRAM位元出货量，部分厂商将于2027年下半年导入新产能，CXCC 2027年DDR4产能提升逾一倍。但需求端承压，价格上涨已冲击部分消费场景，如智能手机与PC；同时DDR4缺乏直接AI应用适配性，难以受益于AI算力扩张。