现货价格短期回调挡不住内存价格继续“狂飙”！

内存价格“狂飙”！Q2合约价恐涨超60%，AI成幕后推手
近期，内存市场正经历一场前所未有的“过山车”行情。尽管短期市场波动引发关注，但最新行业分析显示，2026年第二季度，无论是DRAM还是NAND闪存，价格都将迎来一轮强劲上涨。这背后，AI服务器的巨大需求正在重塑整个存储产业格局，导致产能严重倾斜，消费级产品供应持续吃紧。
DRAM价格飙升：Q2合约价预计大涨58%-63%
根据多家机构分析，2026年第二季度，一般型DRAM（动态随机存取存储器）的合约价格预计将环比大幅上涨58%至63%。这一轮上涨的核心驱动力，在于各大DRAM制造商正积极将产能转向利润更高的服务器应用，尤其是高带宽内存（HBM）和服务器DRAM。
    PC市场：尽管个人电脑整机需求可能出现下调，但制造商同步缩减了对PC原始设备制造商和模组厂的供货。这导致一些满足率较低的PC厂商不得不加价采购，从而支撑了PC DRAM的价格。
    服务器市场：北美云服务供应商对人工智能推理应用场景的日益明确，带动了对AI服务器和通用型服务器的强劲需求，大容量RDIMM成为采购重点。由于服务器DRAM的利润在所有产品中居于首位，制造商优先将产能分配至此。目前，制造商正与主要客户洽谈长期协议，作为未来扩产的依据，但短期内供应仍将维持紧张态势。

    智能手机市场：虽然品牌厂商因存储器成本压力累积，不排除从第二季度起调整生产计划，但预计上半年对移动DRAM的采购力度不会出现大幅收缩。随着制造商与主要客户敲定第二季度价格，并希望通过“补涨”策略缩小各应用领域间的价差，移动DRAM合约价预计将持续走高。
    图形与消费级DRAM：内存价格上涨削弱了笔记本电脑和游戏机的需求动力，同时分配给图形DRAM（GDDR）的产能依然不足，导致其报价持续上修。消费级DRAM的客户多专注于薄利多销的低单价产品，自2025年初以来的涨价潮已导致部分产品的内存成本高于售价，采购需求有所放缓。然而，大型制造商逐步退出消费级DRAM市场，仍是导致该领域供不应求、价格坚挺的主要原因。

NAND闪存跟涨：AI需求主导，Q2合约价或增70%-75%
与DRAM市场类似，NAND闪存市场也持续由人工智能和数据中心的强劲需求主导，全线产品连锁涨价效应不减。机构预计，2026年第二季度，NAND闪存的整体合约价格将环比上涨70%至75%。
尽管制造商通过制程升级和提高QLC（四层单元）比例来提升位元产出，但增幅有限。来自AI服务器的需求保持强劲，而个人电脑和智能手机厂商则被迫缩减产品容量，以抑制NAND闪存的需求量。
   消费级固态硬盘：即便个人电脑需求未见好转，但买方预期消费级固态硬盘价格将持续上行，且担心产能被服务器完全挤占，从而出现库存回补需求。然而，供应商为追求利润最大化，持续缩减对消费级固态硬盘的供给，导致第二季度价格涨势不止。
   企业级固态硬盘：随着生成式人工智能进入大规模应用阶段，高性能固态硬盘需求显著增长，企业级固态硬盘订单未见放缓。供给方面，2026年将出现明显缺货，新产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出。云服务供应商为确保供货稳定，愿意接受涨价并签订长期协议，这进一步增强了制造商上调价格的动力。
   eMMC/UFS：即使智能手机市场表现低迷，但旗舰机型的人工智能功能对高速传输的需求依然刚性，汽车和工业控制领域的需求也小幅回温。从供给面看，eMMC/UFS与企业级固态硬盘在部分制程上高度重叠，但单位利润远低于后者，导致其供给缺口成为全产品线中最大的，预计第二季度价格也将大幅提升。
市场变数：Google新技术引发短期波动
产业格局重塑：铠侠退出2D NAND市场
存储技术的快速演进也在重塑产业格局。日本NAND大厂铠侠已正式向客户发出通知，宣布将逐步停产其浮栅式（Floating Gate）与BiCS FLASH第3代产品，这意味着铠侠将在2028年底正式退出2D NAND市场。
近年来，随着3D NAND技术（如主流的TLC与QLC架构）的快速发展，2D NAND的单位产值较低，已不符合制造商追求规模经济与资本效率的策略。因此，各大原厂正积极将资源集中于更先进的3D NAND和DRAM产品，逐步淘汰旧有技术。