SK海力士砍供英伟达，三星良率承压

作为AI芯片核心配套，高带宽内存（HBM）供应格局持续变动。4月14日消息，SK海力士计划2026年向英伟达供应的HBM4出货量，较原计划减少20%至30%，核心原因是英伟达下一代AI芯片（代号Vera Rubin）开发进度滞后，其量产工艺、良率及台积电CoWoS封装技术均面临挑战，导致HBM4导入需求延后。
与此同时，英伟达搭载HBM3E的Blackwell GPU需求激增，SK海力士选择优先保障HBM3E供应，放缓HBM4产能扩展。值得注意的是，SK海力士今年HBM总出货目标仍维持约200亿Gb，HBM仍是其高利润产品，行业预计2026年HBM整体供应量年增速约40%。
三星在HBM4领域同样承压，其HBM4所用DRAM良率仍低于60%。尽管三星1c DRAM良率已突破80%，但HBM4需额外的堆叠封装、热控及信号稳定性工艺，难度远高于通用DRAM，组装时良率仍可能下滑。三星计划2026年下半年将HBM4良率提升至接近完美水平，以响应英伟达等AI巨头需求。