华邦电：DDR4供应缺口大到“不晓得怎么补起来”

近期，中国台湾存储器厂商密集召开法说会，核心消息高度一致：DRAM缺货已成定局，缺口规模远超预期，价格将持续攀升。华邦电总经理陈沛铭在法说会上直言，受AI应用持续爆发带动，存储器需求迎来前所未有的增长，其中DDR4供应缺口大到“不晓得怎么补起来”，且这一缺口将持续较长时间。更值得关注的是，SLC NAND闪存的缺口比DRAM更大，价格涨幅甚至超过前者。为应对缺口，华邦电正加速扩产：全年资本支出达421亿元新台币（以下同），其中24亿元用于台中厂扩充NOR/NAND闪存产能，预计第三季投片产出，全年闪存位元出货年增30%~40%；台中厂部分DRAM产能已移至高雄厂，今年DRAM出货量预计增长近100%，第二季涨价幅度与第一季持平，下半年即便涨势放缓，业绩仍将逐季攀升。此外，高雄厂扩产预计2027年大量产出，今年5至6月将装机高阶设备，重点扩充16纳米产能，目标良率朝90%以上迈进。业绩方面，华邦电去年第四季表现亮眼，单季税后盈余34.22亿元，季增479%、年增4070%，每股税后盈余0.76元创14季新高；全年每股税后盈余0.88元，顺利转亏为盈，创下近三年新高，董事会已决议去年下半年每股配发0.5元现金股利。