DRAM危机：2027年仅能满足6成需求，消费电子迎漫长“内存荒”

2026年的电子数码圈正在经历一场前所未有的“大地震”。受人工智能算力爆发影响，全球DRAM存储器市场陷入严重的结构性短缺。即便三星、SK海力士等巨头全力扩产，预计到2027年也只能满足六成需求。内存价格飙升已传导至终端，手机、电脑全线涨价，这场由AI引发的“内存危机”恐将持续数年。
AI吞噬产能：供需缺口与价格飙升已成定局
人工智能算力需求的爆发式增长，正将全球DRAM存储器市场推向一场旷日持久的供给危机。最新行业数据显示，即便三星、SK海力士、美光以及CXC等主要厂商全力扩产，到2027年底全球DRAM供给仍仅能满足约六成市场需求。研究机构Counterpoint数据显示，2026至2027年间DRAM年产能需以12%的速度增长方能缓解短缺，而当前实际增速仅约7.5%，缺口触目惊心。这一差距意味着供需失衡将在未来数年内持续加剧，短缺局面恐将延续至2028年底乃至2030年。
市场已率先给出反应。2026年第一季度内存价格同比暴涨110%，PC厂商被迫进入恐慌性备货模式。数据中心客户更是提前预订全年供货配额，进一步挤压了面向消费端的可用库存。随着数据中心持续涌现并消耗大量宝贵的DRAM，零售通路的内存供应也将捉襟见肘，智能手机、笔记本电脑、VR头戴装置和手持游戏设备等各类产品均因RAM短缺而出现价格上涨。
供需缺口难以弥合：扩产步伐远落后于需求
三星、SK海力士、美光正在加紧建设新产线和新工厂，CXC也在建造三座新晶圆厂以试图将总产能翻倍。但产能释放周期决定了这些投资短期内难以奏效，绝大部分新产线预计要到2027年甚至2028年才会投产。SK集团虽于今年2月在清州开设了一座晶圆厂，但在2026年这三家主要厂商中，这将是唯一一个产能的实质性增长。
Counterpoint的测算明确指出，当前7.5%的年产能增速与缓解短缺所需的12%之间存在显著鸿沟。这一缺口叠加新厂建设的固有周期，使得任何实质性的供需再平衡都难以在2027年之前出现。尽管国内厂商尝试填补市场空白，但整体产能的不足依然是行业面临的最大挑战。
AI吞噬产能：PC与手机市场成最大受害者
AI基础设施建设正在主导全球DRAM的产能分配格局。数据中心运营商大规模预订HBM（高带宽内存）等AI专用内存，几乎锁定了主要厂商的全年产量，留给消费电子市场的份额极为有限。这些新增的设施将主要用于生产高带宽内存（HBM），其广泛应用于AI数据中心。
与此同时，三星等主要制造商已相继停产DDR3、DDR4及LPDDR4等传统规格内存，将资源集中投向利润更高的HBM和SOCAMM2等产品线。美光旗下面向消费端的Crucial品牌也已宣告退出，进一步收窄了PC用户和整机厂商的供货渠道。对于PC厂商而言，Counterpoint的预测并不乐观——内存价格仍将持续攀升，且在可预见的未来内，这一压力难以消散。
美光科技韩国设公关据点强化沟通抢攻存储器市场
全球记忆体晶片巨擘美光科技（Micron），今日传出将在韩国设立宣传据点，旨在强化与韩国媒体及外部利害关系人的沟通。此举被视为美光科技提升其在韩国市场影响力的一大策略，尤其在该市场长期由三星电子（SamsungElectronics）与SK海力士（SKhynix）两大巨头主导的情况下，美光科技的能见度相对较低。
根据《亚洲经济日报》报导，美光科技已启动公关代理机构的遴选程序，期望透过此策略性布局，更有效率地向外界传达其企业价值与成就，特别是针对韩国投资海外股票的韩国散户投资人，以确保公司价值获得适当认可。
存储器产业去年市场数据显示，在DRAM（动态随机存取内存）市场，美光科技以23.9%的市占率位居第三，落后于SK海力士的35.2%及三星电子的34.6%。尽管如此，美光科技在技术研发上仍有所突破，目前已向英伟达（Nvidia）供应第五代高带宽记忆体（HBM3E），并于上月宣布出货新一代的第六代HBM4产品。
面对生产产能与工程师人才的双重短缺，美光科技正积极在全球扩展生产基地与人才招募，涵盖美国、日本、新加坡及印度等地。该公司也透过LinkedIn平台在韩国招募经验丰富的工程师，并曾于韩国主要大学举办招募说明会，提供《当天录用》（same-dayhiring）的机会，以迅速补充半导体人才。