存储架构变革：SCM补位，台积电极进新兴存储器领域

随着AI运算扩张，传统“快取与储存”两级存储架构已难以满足需求，正向更细致的分层模式演进。介于DRAM与NAND之间的SCM（Storage Class Memory）正崛起，填补两者空白，提升运算效率。
现行存储系统已形成多层配置：最快速数据存放于HBM或DRAM，稍慢数据可放于SCM，长期保存数据存入SSD或硬盘。SCM适合关机后需保留数据、重启后需快速读取的场景，但导入需结合具体应用情境。
台积电极积极入MRAM等新兴存储器技术研发量产。目前较具潜力的是RRAM与MRAM，其中SOT-MRAM有望解决MRAM微缩性能问题；PCM与FeRAM则面临各自技术挑战。新兴存储器短期内受成本与制程限制，难以全面取代DRAM与NAND，更多发挥差异化场景优势。