英特尔与软银颠覆性合作：HB3DM技术带宽翻倍，HBM4或将迅速过时

在HBM4刚刚进入商业化阶段之际，一场关于下一代内存技术的角逐已经悄然开启。英特尔（Intel）正与软银（SoftBank）旗下的SAIMEMORY公司携手，开发一种名为HB3DM的颠覆性存储器架构。根据计划，这项技术有望在今年6月的VLSI研讨会上正式亮相。HB3DM的核心卖点在于其惊人的带宽表现：利用Z-Angle Memory（ZAM）技术，其实现了每平方毫米约0.25 Tb/s的带宽。换算下来，在171平方毫米的芯片上，每10 GB模组的带宽可达约5.3 TB/s。这一数据是现行HBM4方案（约2 TB/s）的两倍多，预示着HBM4可能面临迅速落伍的风险。
除了带宽的飞跃，HB3DM在设计上也极具创新。它采用垂直排列的九层堆叠结构，结合专有的无线技术，无需直接与电路板接触，这不仅有助于改善散热，据说还能比传统HBM降低约40%的功耗。尽管目前HB3DM的单模组容量（约10 GB）低于HBM4的最高规格（48 GB），显示出其目前“带宽优先”的策略，但其潜力不容小觑。根据日经XTECH的报道，双方的目标是在2027年度推出原型，并于2029年度实现商业化。英特尔的这一举动，不仅是为了在内存领域重新确立技术优势，也可能意味着其未来有机会重新开始生产DRAM，从而打破目前三星、SK海力士和美光三足鼎立的寡头格局。