美光扩产遇阻：变压器短缺成瓶颈，恐拖慢HBM量产

全球存储器大厂美光正积极扩充先进存储器产能，布局AI带动的新一波半导体需求，但随着新厂规模扩大，一个此前被忽视的问题逐渐凸显：电力基础设施能否跟上半导体扩产的速度，其中变压器短缺已成为制约其扩产的关键瓶颈。
美光近期在新加坡投入约240亿美元扩建NAND闪存产能，原本被视为强化亚洲制造布局的重要环节。然而，AI芯片与高端存储器工厂对电力需求极高，尤其是需要大量重型电力设备，其中变压器的需求量尤为庞大。据了解，美光新加坡新厂可能需要采购约400至500台变压器，数量约为传统晶圆厂的三倍以上，这一需求已超出多数单一供应商一年的生产能力。
这一现象意味着，半导体产业的竞争已不再局限于先进制程、设备机台与人才的竞争，还逐渐延伸到电力、变压器、电网与基础设施等供应链需求。尤其是在AI服务器、数据中心与HBM（高带宽存储器）需求快速升温的背景下，全球大型科技公司与半导体厂都在抢建高耗能设施，进一步加剧了重型电力设备的市场短缺。
目前三星电子、SK海力士与美光都在加速扩充HBM产能，抢攻AI芯片市场。HBM是AI加速器与高端运算中不可或缺的关键内存，市场需求的快速成长推动各大内存厂加快建厂脚步。但如果变压器等电力设备交期延后，即便厂房与制程设备全部完成，也可能因供电系统无法到位而影响投产时间。
市场人士指出，变压器属于交期较长的重型设备，从下单、制造到交付通常需要数个月时间。近年来，AI数据中心快速扩张与各国或地区电网工程同步推进，使得变压器供应商订单大增，再加上铜等原物料价格上涨，推升了相关设备成本，部分供应商已调高报价，进一步增加了半导体建厂成本。
多重因素也影响了美光的股价表现，除了电力设备短缺的疑虑，谷歌发表的“TurboQuant”内存压缩技术，也引发市场对未来内存需求是否会受到压抑的担忧，受此影响，美光股价出现连续下跌，投资人开始重新评估存储器产业的短期扩产风险。据悉，美光新加坡新厂预计于2028年投产，中国台湾苗栗铜锣厂与日本广岛厂则计划在2026年陆续投入生产，而电力基础设施能否顺利到位，将成为其产能释放的关键。