技术之争白热化：三星、SK海力士博弈1D DRAM物理极限

为突破10纳米级1D DRAM物理极限，三星与SK海力士分别以「垂直堆叠」「平面极限」为核心，展开技术博弈，决定高端DRAM市场地位。
据韩媒ET News，三星「垂直堆叠」路线可提升存储密度，适配AI服务器等高端场景，目前已引入超五层EUV工艺提供支撑。
SK海力士「平面极限」路线聚焦优化工艺精度，降低研发与量产成本，正推进1C DRAM技术，计划今年交付HBM4E核心芯片样品，通过模块化设计降低工艺复杂度。