加速布局！三星平泽P5工厂提前动工，剑指1c纳米HBM/DRAM产能

在罢工危机的同时，三星正加速推进新工厂建设，以巩固其在内存领域的优势地位。据悉，三星电子已于上月完成平泽P5工厂第一阶段系统密封工程的设备数量审核，预计下半年将正式进入主体施工阶段，这一进展较此前预期提前了约半年，凸显出三星扩大高端内存产能的迫切需求。
系统密封工程是半导体工厂建设的关键，主要用于构建洁净室，通过控制温湿度、压力等参数防止芯片缺陷，是工厂建设的核心前置工序。平泽P5工厂规划6个3层洁净室，规模是4个2层洁净室的P4工厂的1.5倍，产能潜力巨大。
按照规划，平泽P5工厂预计于2028年正式投产，将设计为可同时容纳DRAM、NAND闪存和代工生产线的混合多厂形式，其中第一阶段将重点建设1c纳米尖端DRAM专用生产线。1c纳米工艺的电路线宽约为11至12纳米，相比上一代1b纳米工艺，在能效和集成度方面均有显著提升，三星已将该技术率先应用于第六代HBM4的核心芯片，以此打造差异化竞争力。
据三星介绍，1c纳米工艺的HBM4传输速度达11.7Gbps，较JEDEC标准提升约46%，最高13Gbps，满足英伟达等客户需求。三星副社长金在俊表示，公司HBM销售额预计同比增长超3倍，1c纳米工艺是核心竞争力保障。
为进一步巩固HBM市场主导地位，三星正加速1c纳米产能扩张。除了平泽P5工厂，平泽P4工厂第四阶段和第二阶段的洁净室建设已接近尾声，预计下半年起主要前工序设备将陆续搬入。此外，三星已为平泽P5工厂首个阶段订购了70余台光刻机，其中约20台为阿斯麦的EUV曝光系统，为2027年投运做好充分准备。半导体行业相关人士表示，目前平泽P4工厂相关洁净室设备搬入已基本收尾，P5工厂下半年正式启动施工已成定局。