三星重启增长引擎：押注400层NAND、SiC，布局下一代赛道

随着存储器主业稳定，三星电子重启下一代半导体研发投资，聚焦第十代NAND、化合物半导体、玻璃基板等领域，抢占AI时代先机。
三星已重启400层NAND（V10）投资，采用低温蚀刻、晶圆间键合和激光加工技术，提升性能和良率，相关生产线筹备工作已重新推进。
化合物半导体方面，三星重点布局氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），计划2026年建立SiC供应链，2028年实现量产。同时，三星加速推进玻璃基板应用，布局低功耗内存模块SoCAMM，为英伟达等AI应用扩大产能。