韩国海关数据曝光存储价格异动!NAND 单月暴涨 63%
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-05-13
韩国海关数据曝光存储价格异动!NAND 单月暴涨 63%,AI 需求推高 HBM,消费端却逆势大跌
外电援引韩国海关进出口数据显示,2026 年 4 月至 5 月 10 日期间,DRAM、NAND 闪存价格单月大幅跳涨,全球存储市场因 AI 需求爆发出现严重的结构性供需失衡。对比去年同期,各大主流存储品类价格涨幅普遍达到 165%—500% 区间,涨价力度惊人。
细分品类来看,NAND 闪存涨价势头最为凶猛,单月环比飙升 63.1%,领跑全品类涨幅。据市场研究机构研判,企业级 NAND 合约价格涨势格外突出,预计整个第二季度,NAND 闪存价格累计涨幅将达到 70%—75%。AI 算力核心硬件 HBM 同样涨价显著,环比上涨 18.7%,同比涨幅高达 165.5%;裸 DRAM 芯片环比涨幅也突破 20%,整体高端存储芯片涨价浪潮全面来袭。
面对存储芯片紧缺现状,三星、SK 海力士、美光三大国际头部存储厂商已开启加速扩产模式。但三星方面给出预警,2027 年全球存储市场供需紧张程度,或将比 2026 年进一步加剧。存储芯片新建晶圆厂从动工到实现量产,周期长达 2-3 年,短期之内全球存储芯片供应缺口难以填补。而 HBM 作为 AI 服务器的核心关键组件,其价格持续走高,也直接抬升了下游数据中心的建设成本,对 AI 产业发展带来成本层面的影响。
值得注意的是,高端 AI 存储与消费级存储市场呈现完全相反的走势。监测数据显示,面向个人消费市场的 TLC 颗粒 SSD 现货价格,已下跌 30%—40%。背后核心原因在于 PC 终端市场需求持续疲软,存储芯片整体涨价环境压制了消费者换新、购机意愿,消费级通用 SSD 产品库存积压严重,现货价格因此承压下行,和企业级、AI 专用存储的涨价行情形成鲜明反差。
一边是 AI 算力需求催生高端存储持续涨价,一边是消费电子疲软拖累普通存储降价,全球存储芯片市场的结构性分化格局,正深刻影响着上下游产业链的发展走向。






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