野村证券重磅研判：存储芯片“三重超级周期”开启，高景气至少持续至2027年

作为亚洲最具影响力的投行与研究机构之一，日本金融巨头野村证券近日发布了一份关于全球存储产业的深度研报。报告指出，DRAM、NAND与HBM（高带宽内存）三大核心品类正同步进入历史性的“三重超级周期”，且这一高景气阶段预计将至少持续至2027年。基于此判断，野村大幅上调了三星电子和SK海力士的目标价与盈利预测。
野村对存储芯片市场市场规模爆发：2026年有望接近翻倍的规模预测极具冲击力。报告预测，全球存储市场规模将在2026年同比大涨98%，达到4450亿美元，并在2027年进一步扩张至5900亿美元。
这一预测的底层逻辑在于供需的严重错配。预计到2026年，DRAM和NAND的需求将分别增长30%，而HBM的需求增幅更是高达63%。在供应受限的背景下，DRAM和NAND的平均售价预计将分别跃升46%和65%，推动制造商的营业利润率重回历史高位。相比上一轮2017至2018年的存储超级周期（峰值约1700亿美元），本轮周期的市场体量预计将是当年的3倍以上。
叙事重构：从HBM独舞到“三足鼎立”
本次研报最核心的产业洞察，在于打破了以往仅围绕HBM单一题材的市场认知，构建了更具结构性的“三重超级周期”框架：
HBM（高带宽内存）： AI算力的绝对刚需，需求持续井喷。
DRAM（动态随机存取存储器）： 随着AI服务器和高性能计算的普及，通用型DRAM正从传统的PC周期品类，升级为AI算力基础设施的核心资源。
NAND/企业级SSD： AI工作负载从训练向推理转变，对实时响应的高性能存储需求激增。野村预测，2026年企业级SSD将占据NAND总需求的约40%，需求增长超过100%，推动行业营业利润率大幅改善。
这种“三足鼎立”的局面意味着存储厂商的产品组合具备了极强的可切换性。当大宗商品DRAM和企业级SSD的盈利快速改善时，厂商不再被动依赖HBM，而是能够根据边际利润弹性灵活调配产能，从而极大地提升了供给端的纪律性和议价能力。
供给瓶颈：洁净室短缺成核心物理约束
为何这轮周期能持续这么久？野村将供给约束精确归因于物理层面的瓶颈——有意义的供给增加最早要等到2028年才会出现。
核心限制在于先进存储芯片洁净室的长建设周期（通常需要18至24个月，从规划到量产需3至5年）。目前，除了部分既定产线外，全球主要厂商几乎没有新增的大规模通用DRAM产线能在2026年投入使用。此外，下一代HBM4等产品需要升级至更先进的制程，良率爬坡期进一步压缩了实际可用产能。所有主要的海外扩产项目大多集中在2027年以后才能贡献实际产出。
连带影响：消费电子面临成本压力
存储成本的暴涨也对下游消费电子市场产生了连带影响。受成本上涨及换机需求提前释放的影响，野村预测2026年全球PC出货量可能同比下降2.8%，智能手机出货量可能同比下降1.7%。
其中，中低端智能手机受到的冲击最为严重，因为存储成本在其物料清单中占比超过15%。相比之下，拥有高利润率、强大议价能力和长期供应协议的品牌（如苹果）受影响相对较小，供应链仍有望保持适度增长。
华尔街共识：估值体系面临重构
野村的最新研判并非孤例，而是与花旗集团、摩根士丹利、高盛等顶级机构的观点形成了超强共识。各大投行普遍认为，随着AI数据中心建设的如火如荼，存储芯片已成为内容增长最高的品类。