陈立白给出明确行情预判：未来3个月内，NAND闪存涨幅将超过DRAM

全球存储器龙头三星电子劳资矛盾彻底激化，即将开启 18 天大规模罢工。在 AI 需求持续爆发、全球存储本就供需偏紧的背景下，此次停工风波不仅牵动韩国本土经济，更直接影响 DRAM、NAND 闪存价格走势，行业龙头大佬也对后市行情给出明确预判。

一、谈判彻底破裂！三星史上大规模罢工即将开启
三星电子股价近期受劳工动荡预期冲击，曾一度下跌 4.5%，后续小幅回升，核心诱因是公司超 4.7 万名工会员工即将于周四开启罢工。
此次罢工导火索为劳资双方薪资、奖金谈判破裂，工会已同意韩国国家劳动关系委员会的调解方案，但三星电子予以拒绝；尽管三星曾提出延长谈判时间，双方最终仍未能达成共识。工会明确计划开展为期 18 天的罢工，同时韩国法院出台限制条款，禁止工会成员干扰关键安全与生产设施。
工会核心诉求聚焦奖金制度改革，要求将公司运营利润的 15% 作为绩效奖金、取消奖金支付上限、规范奖金发放结构；三星则认为全盘满足诉求会破坏企业管理原则，同时表态愿意持续对话、反对罢工行动。
韩国政府层面高度重视，总统及相关官员呼吁双方尽快达成和解，劳工部长可在争议危及国家经济时，暂停最长 30 天的罢工行动，目前政府暂未介入干预，仍寄望双方重启谈判。
作为韩国出口占比近四分之一的龙头企业、全球最大存储器芯片供应商，三星一旦出现生产短缺，将加剧全球存储供应压力，直接冲击韩国经济与国际科技供应链稳定性。

二、行业大佬陈立白解读：三星明起罢工，罢工影响偏心理层面，DRAM、NAND恐掀新一波涨价
针对此次三星罢工事件，中国台湾地区存储模组厂威刚董事长陈立白给出核心判断：罢工大概率 1 个月内结束，对全球存储器实际产能影响有限，核心冲击集中在市场心理层面。
他表示，当前全球 DRAM、NAND 闪存本就产能吃紧，前三大 DRAM 厂商今年产能已全部售罄，现阶段均在洽谈明年产能。若三星 18 天罢工全程落地，会直接强化市场涨价预期，推动 DRAM、NAND 闪存价格上涨，且罢工时长越久，价格波动幅度越大。好在威刚已提前敲定与原厂的供货合约，供货稳定性不受影响。
对于存储后市走势，陈立白给出明确行情预判：未来 3 个月内，NAND 闪存涨幅将超过 DRAM；下半年两类产品合约价将同步上行，行业多头行情将延续至 2027 年；2028 年三大原厂新增产能释放情况，将成为后续市场供需格局的核心观察焦点。
其中 NAND 闪存短期涨势更猛，主要源于两大原因：一是此前 DRAM 已快速大幅涨价，NAND 闪存价格基数更低；二是 ESSD、无人车、机器人等新兴领域需求爆发，带动 NAND 需求快速攀升。同时他认为，市场传言 DDR4 价格高点已过的判断并不成立，DDR4 价格高点尚未到来。

三、后市核心看点：供需紧平衡下，涨价周期持续强化
当前全球存储芯片市场，受人工智能数据中心、服务器硬件需求拉动，整体处于供需紧平衡状态。三星作为全球 DRAM、NAND 闪存龙头，此次罢工虽实际产能损失可控，但在本就短缺的市场环境中，极易引发下游客户恐慌性备货，进一步放大涨价预期。
短期来看，罢工将直接助推二季度存储合约价上行；中长期维度，2026—2027 年全球新增存储产能有限，涨价周期将持续，2028 年产能扩张节奏才会改变行业格局。