南亚科：DRAM 缺口稳到 2027，3 年产能要翻倍

中国台湾 DRAM 大厂南亚科（全球第四大 DRAM 原厂）5 月 21 日股东会释放明确信号：DRAM 供需缺口至少持续到 2027 年底，行业从高波动转向稳定上行周期。
南亚科总经理李培瑛核心观点：
产业周期重塑：中国台湾 DRAM 30 余年发展，前 18 年剧烈波动，近 13 年持续盈利，结构显著改善；AI 成核心引擎：高运算、高频宽需求带动 DRAM 结构性成长，2027—2028 年新产能开出后，缺口仍将延续；产能规划：新厂已完成主体，2027 年 Q1 装机，新增 3 万片产能，2—3 年后总产能增 80%—100%（接近翻倍）；HBM 布局：锁定超高带宽客制化 AI 内存，带宽不受 HBM3/HBM4 标准限制，已小幅贡献营收。
对于三星罢工，李培瑛直言：短期扰动，长期回归基本面，行业供需紧张才是核心矛盾。