闪存技术突围战：铠侠押注332层堆叠抢占先机

在全球NAND闪存市场，一场关于技术代际的攻防战正在悄然打响。日本闪存大厂铠侠（Kioxia）近期动作频频，明确将量产第十代BiCS NAND闪存列为2026财年的首要战略任务。这款采用332层垂直堆叠技术的新一代产品，相比上一代218层产品，单位面积数据存储容量提升了59%，数据传输速度提高了33%。铠侠此举意在趁竞争对手调整节奏之际，加速缩小技术差距，并在高端企业级固态硬盘（SSD）和AI服务器存储市场争夺更多话语权。作为全球第三大NAND供应商，铠侠希望通过率先量产高密度产品，巩固其在数据中心存储领域的竞争力。

相比之下，原本的领跑者三星电子和SK海力士在第十代NAND的量产时程上显得更为谨慎。据业界消息，三星原计划在今年量产的400多层V10 NAND因技术难度较高及设备评估等原因，已推迟至明年；SK海力士的实际量产投资计划也尚未完全明朗。这种“时间差”为铠侠提供了宝贵的窗口期。不过，闪存技术的演进并非单纯比拼层数，混合键合（Hybrid Bonding）等先进工艺的应用也成为竞争焦点。铠侠采用的CBA（CMOS直接键合阵列）架构，通过将存储单元阵列晶圆与外围电路晶圆分别制造后键合，有效解决了高层数带来的散热与信号干扰问题。未来，随着AI对数据存储密度要求的进一步提升，这场围绕层数与架构的技术竞赛将更加白热化。