华为122TB SSD量产：DoB封装技术绕开芯片限制，数据传输能耗骤降80%

当全球存储产业还在聚焦3D NAND的堆叠层数竞赛时，华为在巴黎ID论坛2026上展示了一项颠覆性的技术成果——基于自研DoB（板上裸片封装）技术的122.88TB大容量SSD已正式投入量产。这不仅是一次单纯的容量升级，更是一场针对存储底层逻辑的系统性重构。在无法获取采用特定外部技术的最新3D NAND芯片背景下，华为通过板级封装创新，实现了高达33%的容量密度提升，成功撕开了技术限制的缺口，标志着中国科技企业在硬科技创新领域正从“被动追赶”转向“主动定义规则”。
技术封锁下的非对称突围
受限于外部供应链因素，华为无法获取采用美国技术的最新3D NAND芯片，只能依赖国内厂商的产品。在传统TSOP或BGA封装工艺下，多层芯片需先封装再焊接至PCB板，受限于固定物理尺寸，通常最多只能实现16层裸片堆叠。这意味着如果沿用旧路，产品容量将始终落后于国际主流水平。
面对这一困境，华为选择了“非对称创新”路径。其自研的DoB晶圆级封装技术，跳过了传统“芯片封装再焊接”的中间环节，直接将NAND裸片高密度贴装在PCB基板上。这种设计突破了传统工艺的层数限制，最高可实现36层堆叠。正如《数据存储2030》白皮书所述，搭载该技术的OceanStor Pacific 9926存储系统，在2U空间内可容纳36块122.88TB NVMe SSD，提供4.42PB原始容量。即便对比戴尔采用铠侠245TB SSD的方案（约9.8PB原始容量），差距也已大幅缩小至“可控范围”。
从物理堆叠到AI系统协同
DoB技术的革命性不仅在于物理空间的极致利用，更在于其与AI存储的深度绑定。华为推出的EX 560 AI SSD，创新性地将AI加速单元直接集成到主控芯片中，实现了“存储即计算”的架构变革。数据在写入时可同步完成预处理，随机写入IOPS高达150万，延迟低于7微秒，而数据传输能耗却降低了80%。这种“封装创新+AI赋能”的组合拳，成功突破了行业内“性能与能耗不可兼得”的技术悖论。
此外，这项技术也为国产NAND产业链开辟了新的价值通道。通过DoB技术的加持，国产NAND芯片得以在系统层面实现高容量输出，形成了“芯片-封装-整机”的正向循环，有效增强了供应链的自主可控能力。
产业落地与未来展望
在本次论坛上展示的OceanDisk 1610机箱中，36块61.44TB SSD在2U空间内提供了2.2PB的总容量，足以满足中小型数据中心的需求；而面向超大规模场景的Pacific 9926系统，在2.5:1压缩比下有效容量可达11PB，已接近国际顶尖水平。目前，华为已量产61.44TB和122.88TB两款产品，并规划在未来推出245TB版本。