美光 HBM4 产能翻倍提速，HBM4E 转由台积电 2027 年量产

AI 算力需求爆发推动高带宽存储器（HBM）成为核心刚需，美光科技 HBM4 产能爬坡进展显著，速度较去年 HBM3 12 层产品提升两倍，良率同步优化，全力冲刺 AI 服务器存储市场。美光全球运营副总裁 Manish Bhatia 在摩根大通会议上明确，HBM4 将用于英伟达下一代 Rubin AI 运算平台，成为其关键供应商，深度绑定 AI 算力核心链条。
在技术与制程布局上，美光 HBM4 依托 HBM3/HBM3E 量产经验，核心 DRAM 采用成熟 1β（10 纳米 5 代）制程搭配自研基底芯片，性能与稳定性大幅提升。更先进的 HBM4E 迎来战略调整，核心 DRAM 升级至首次导入 EUV 的 1γ（10 纳米 6 代）制程，基底芯片放弃自研转由台积电代工，计划 2027 年量产，首批推出 JEDEC 标准品并同步开发客制化版本，以此缩小与韩系大厂差距。
韩系厂商同步推进 HBM4E 布局，三星预计今年第二季送出 HBM4E 样品且基底维持自制，SK 海力士则计划 2026 年下半年送样、2027 年量产，基底采用台积电 3 纳米制程。美光同步设定制程目标，2026 年年中 1γDRAM 与第 9 代 NAND 出货量将占总容量一半以上，推动 1γ 成为最大单一 DRAM 制程，强化高端存储市场竞争力。