美光 DDR4 四倍扩产难改现状，陈立白：短期难解全球缺货，行业缺货或将延续至 2028 年

针对市场紧缺问题，美光宣布对美国弗吉尼亚州马纳萨斯工厂进行升级，导入 1α DRAM 制程，将厂区 DDR4 晶圆供应量提升至原有四倍。此次扩产并非新建晶圆厂，而是依托现有厂区完成设备升级与产能优化，产品主要供给车用、国防、航空、工业、网络通信及医疗等长生命周期领域，同时适配当地供应链发展需求。
行业分析指出，本次产能提升依靠制程升级、产品结构调整与产线效率优化实现，属于稳健型扩产，并未为全球 DRAM 市场带来大规模新增产能。美光的整体发展策略并未改变，依旧将先进 DRAM 产能重点投向 HBM、DDR5 等适配人工智能的高端产品，DDR4 等成熟存储产品则聚焦特殊应用与区域市场。威刚董事长陈立白直言，此次扩产力度有限，短期无法扭转全球存储器缺货的整体格局。
当前行业供需矛盾已十分突出，各大原厂本年度产能基本提前售罄，不少客户已经开始洽谈 2027 年及之后的长期供货协议，大型云端服务商更是倾向签订三至五年长约，保障供货稳定。陈立白判断，存储器行业已经进入长期上行周期，今明两年产品价格仍有上涨空间，市场缺货状态甚至有可能延续至 2028 年。
英伟达高管也公开表示，存储器供给不足是当前 AI 产业发展的主要瓶颈之一，AI 服务器需求远超市场预期，存储产能不足已经制约了人工智能基础设施的扩张。早在三年前，相关企业就已呼吁存储厂商加大产能投入，应对 AI 浪潮带来的海量存储需求。