摩根大通：存储短缺蔓延至 2026 年后！AI 需求成核心推手

全球存储器市场正遭遇严峻的供应危机，美光科技与摩根大通均明确表示，HBM、NAND 闪存和 DRAM 三大核心存储产品的供应紧张局面，将持续到 2026 年以后，人工智能算力需求爆发是本轮行业供需失衡的核心诱因。
在摩根大通全球科技、媒体和通讯年度大会上，美光相关负责人表示，高性能存储芯片是提升人工智能模型运行效率的核心硬件，而 HBM、NAND 闪存、DRAM 的产能难以快速扩张，市场紧张的现状无法在短期内得到缓解。美光还透露，企业正将 EUV 光刻技术融入 1-gamma 制程的 DRAM 生产流程，该制程也有望成为公司历史上单晶圆产量最高的 DRAM 工艺。产品迭代方面，HBM4 产能提升速度达到 HBM3 的两倍，下一代 HBM4E 计划在 2027 年启动量产，首批产品将采用 1-gamma 制程模块打造。
从供给端来看，多重因素限制了产能释放。存储芯片技术迭代速度放缓，性能提升空间收窄；HBM 芯片体积不断增大，单块晶圆可切割的芯片数量随之减少，进一步压缩供给能力。同时 EUV 光刻技术应用于先进 DRAM 制程，虽然提升了芯片精度，但也拉高了量产门槛、延缓了产能爬坡速度。从需求端分析，人工智能应用持续升级，从基础训练、推理延伸至推理、代理式 AI 等场景，算力需求节节攀升，AI 服务器对内存、闪存的需求量远超传统设备，海量需求持续消耗现有产能。
消费电子领域受存储芯片涨价影响，需求有所降温，但服务器市场的旺盛订单完全填补了这部分缺口。业内机构预测，2026 年主流 NAND 闪存厂商基本没有新增产能规划，全年市场供不应求的格局不会改变。200 层以上的高端闪存产品将逐步成为市场主流，行业产能持续向服务器领域倾斜，企业级 SSD 的市场渗透率也将进一步提升。