国产HBM研发提速，稳步推进量产缩小国际技术差距

国内存储产业正全力攻坚高带宽内存（HBM）技术，国内本土企业不断加快技术落地与商用进程，国产 HBM 产业迎来加速发展期，与国际头部厂商的技术差距逐步收窄。

作为国内DRAM厂商目前已推出 HBM3 样品，并向国内多家 AI 芯片企业送样验证，整体处于量产前测试阶段。按照规划，企业将在 2027 年实现 12 层 HBM3E 产品量产，该目标一旦落地，其与三星、SK 海力士、美光三大国际巨头的技术差距将缩短至2-3年。与此同时，国内NAND领域企业也计划参与下一代HBM研发，双方尝试整合 DRAM 制造能力与 3D 封装技术，共同攻坚更高层数产品，目前针对 20 层 HBM 所需的混合键合技术合作已经启动。

从市场份额来看，Counterpoint数据显示，2026 年第一季度全球 DRAM 市场格局清晰，三星、SK 海力士、美光分别占据 38%、22%、22% 的份额，位列全球前三。国内相关DRAM厂家营收同比暴涨超 700%，市场份额从去年同期 3% 提升至 8%，稳居全球第四位，增长势头十分强劲。行业人士表示，国内 HBM 虽然进展迅速，但由于起步晚，在硅通孔工艺、堆叠封装、温控、量产良率以及客户认证等核心环节，和国际厂商仍存在一定差距。不过依托国内完善的 AI 产业生态与政策支持，国产 HBM 产品有望快速实现本土落地。

三星、SK 海力士均在国内布局生产基地，三星西安工厂承载其全球约 40% 的 NAND 产能，SK 海力士也在无锡、大连建设了 DRAM 与 NAND 产线，国内市场始终是国际存储巨头重要的生产和消费市场。各大厂商也持续深耕核心工艺、良率管控与封装技术，共同推动行业整体进步。