NAND 堆叠层数持续攀升,韩企应三星要求扩产高纯氯气保障供应
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-05-28
AI 浪潮推动 3D NAND 闪存向着 300 层及以上高阶堆叠方向发展,叠加 GAA、FinFET 等先进制程落地,半导体高纯氯气、氯化氢等特种材料的市场需求迎来爆发式增长。为保障生产稳定,韩国化工企业 PKC 正式启动产能扩建项目,这也是韩国推进半导体材料供应链自主化的重要举措。
据海外媒体《THE ELEC》报道,此次扩产由三星电子主导推动,PKC 将半导体专用高纯氯气产能提升 50%,年产能从原有 1400-1500 吨增至 2100-2200 吨,项目总投资达到数百亿韩元。由于氯化氢依靠氯气反应制备,三星同步提出要求,将氯化氢的供货范围拓展至 NAND 闪存、芯片代工全流程,氯气产能扩容成为配套刚需。此前日本东曹占据全球氯化氢超七成市场份额,今年 2 月该企业一度中断对韩供货,直接引发韩国半导体企业的生产风险,也倒逼当地加快材料国产替代步伐。
目前 PKC 与日本大阳日酸旗下子公司共同把控韩国高纯氯气主流市场,产品已稳定供货三星、SK 海力士两大存储巨头,其位于群山的氯化氢产线也在去年 6 月通过三星认证。经营数据方面,PKC 今年一季度营收达到 702 亿韩元,同比增长 8.8%;营业利润增至 50 亿韩元,涨幅超五成,7.1% 的利润率创下同期新高,其中高附加值半导体特种气体营收同比增长 37.5%。企业也定下全年营收增幅超 10% 的目标,持续向半导体材料、二次电池材料等高附加值领域转型。业内普遍认为,本次氯气扩产,将成为 PKC 稳固三星核心供应商地位的关键节点。






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