三星首发HBM4E样品落地！多重技术升级夯实AI内存龙头地位

2026年5月29日，三星电子正式向全球核心客户发货业内首批12层HBM4E样品，继HBM4实现量产商用后，再度完成下一代AI内存技术的里程碑式突破，持续巩固其在高端HBM市场的绝对领先优势。此次推出的HBM4E作为HBM4的迭代升级产品，针对性优化了AI超高负载运算场景的性能、能效与散热短板，为超大规模数据中心、大型语言模型等下一代AI应用提供核心硬件支撑。

性能与容量层面，三星12层HBM4E实现跨越式升级，基准引脚速度稳定14Gbps，可拓展至16Gbps，较上一代HBM4性能提升20%以上，单堆栈内存带宽高达3.6TB/s，能够大幅释放AI大模型的计算潜力。容量方面，12层版本标配48GB存储空间，较前代提升30%以上，同时可根据客户需求灵活适配8层32GB、16层64GB多规格配置，全面覆盖不同AI设备的存储需求。

工艺与能效优化上，HBM4E搭载三星第六代10纳米级DRAM工艺与4纳米代工逻辑芯片，依托成熟量产工艺大幅提升产品良率与生产稳定性。同时通过低功耗设计优化、封装结构升级，产品能效提升16%，热阻性能改善14%以上，散热效率显著增强，可保障AI数据中心高负载、长时间连续稳定运行，有效降低能耗成本。

三星电子内存开发执行副总裁兼负责人黄相俊表示，HBM4E的落地是三星技术迭代能力的有力印证。凭借内存研发、晶圆代工、逻辑设计、先进封装的全产业链优势，三星将持续迭代HBM技术，稳定全球AI半导体存储供应链。目前产品已完成样品交付与技术验证，后续将根据客户进度推进规模化量产，持续承接全球AI市场的增量需求。