高盛最新报告：存储芯片超级周期延至2028

高盛提出本轮周期三大结构性差异：一是服务器与AI组合扩张及代理式AI发展带来更高的需求能见度，需求端不再是"猜周期"；二是产能扩充较慢叠加HBM换算比率高，供给增长受到天然约束；三是客户开始签署更具约束力的长期协议，叠加更高效的资本支出规划，使价格和需求更具可预测性。基于此，高盛判断即便到2028年，DRAM、NAND和HBM仍将整体供不应求。
价格层面，高盛预计三星传统DRAM平均售价2026年和2027年分别同比增长326%和27%，NAND分别增长283%和33%。HBM方面，"追赶效应"有望推动2027年均价再涨约50%，整体潜在市场规模在2026至2028年分别达560亿、1160亿和1680亿美元。盈利端，高盛测算三星电子2026至2028年营业利润分别为374万亿、530万亿和610万亿韩元，SK海力士为271万亿、401万亿和454万亿韩元，两家合计2028年将突破1000万亿韩元。这已是高盛一个月内第二次上调，且上调幅度逐年扩大。估值方面，高盛将SK海力士评估方法切换为市盈率法，以9倍市盈率将目标价上调至350万韩元，三星电子至48万韩元，均维持"买入"评级。高盛同时将铠侠评级从"中立"调升至"买入"，目标价大幅上调至93000日元。