SK海力士大连工厂NAND扩产：浮动栅极技术剑指企业级SSD市场

据韩媒The Bell报道，SK海力士已正式推进在中国大连第二工厂采用浮动栅极（FG）结构量产200层级NAND闪存的准备工作，并计划同步导入存储密度更高的QLC技术。此举标志着SK海力士在NAND技术路线上的战略选择进一步清晰化。
SK海力士在大连工厂延续FG NAND技术路线，与业内主流的电荷捕获结构形成差异化竞争。FG结构在数据存储可靠性、读写性能和耐久性方面具有独特优势，尤其适用于对数据完整性要求极高的企业级应用场景。而QLC技术能在单个存储单元中存储4比特数据，相比TLC存储密度提升33%，能大幅降低单位容量成本。尽管QLC在写入速度和耐久性方面略有折损，但在以读取为主的AI推理场景中，其性价比优势极为突出。
AI数据中心对存储容量的需求呈指数级增长。市场研究显示，2026年企业级SSD需求量将超过500艾字节，占NAND闪存总需求的43%，未来两年将以52%的年复合增长率持续扩张。SK海力士推进FG结构200层NAND量产并导入QLC技术，正是瞄准了这一高速增长的市场。