HBM4E先行铺路，存储器全品类涨价潮愈演愈烈

在HBM5高调亮相之前，三星已于5月下旬率先向全球主要客户交付了12层HBM4E样品，成为业内首家出货该产品的厂商。这款产品引脚传输速度稳定在14Gbps、可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%；每堆栈带宽达3.6TB/s，容量48GB，较上一代增加逾30%；能效提升16%，热阻改善逾14%。此外三星还规划了8层32GB和16层64GB版本，覆盖不同客户场景。
HBM技术快步迭代的同时，整个存储器市场正在经历一轮罕见的全品类涨价潮，其根源在于HBM对传统DRAM产能的剧烈"排挤"——生产一个比特的HBM大约需要消耗三个比特标准DRAM的产能。三大原厂三星、SK海力士和美光均优先将晶圆产能分配给利润更高的HBM，导致DDR4、DDR5等消费级存储的供给快速收紧，甚至一度出现旧世代DDR4每GB报价贵过新款DDR5的倒挂奇观。
SK集团董事长崔泰源在Computex期间抛出重磅目标：SK海力士将在未来五年内将晶圆总产能翻番。目前三星电子DRAM月产能约70万片，SK海力士约50万片；若按计划推进，SK海力士有望在产能规模上与三星正面抗衡。崔泰源同时预警，存储芯片供应瓶颈预计将持续到2030年。然而新增产能大多要到2027年底才能开出，远水难解近渴。
据机构统计，2026年全球DRAM需求年增约26%，但供给年增率仅约20%，供需缺口至少6个百分点。摩根士丹利在5月底发布的报告中坦承此前判断过于保守，将2026年下半年DDR4供需缺口从14%大幅上修至19%至20%，并认为缺口可能延续到2028年。存储器价格的全面上涨也大幅推高韩国厂商的盈利预期：摩根士丹利预测，三星电子今年全年营业利润将达约245.7万亿韩元，同比增幅达464%；SK海力士全年营业利润预计约179.4万亿韩元，同比增幅约280%。
从HBM合约价的角度看，由于三大原厂长期采用年度议价机制，此前合约价未能及时反映季度涨价趋势。但随着2027年HBM4供应谈判全面铺开，在DRAM供不应求、新旧世代制造难度攀升的背景下，机构判断三大原厂将于2027年大幅上调HBM报价。机构估算，2025至2027年三大原厂HBM投片量将分别占到整体DRAM投片量的18%、22%及约30%，排挤效应将进一步放大。