HBM5正式亮相，三星与SK海力士的散热技术"军备竞赛"

在Computex 2026展会上，三星电子首次公开展示了第八代高带宽存储器HBM5原型。这是继率先实现HBM4量产并交付HBM4E样品之后，三星在AI存储领域的又一张关键牌。
HBM5最核心的创新来自散热。随着芯片堆叠层数不断攀升，内部热量积聚已成为制约性能的头号难题。三星为此拿出了名为HPB（Heat Pass Block，导热块）的散热方案——一种集成在封装内部的金属导热结构，通常以铜基材料制成，其导热能力比传统聚合物基材料高出约500至1000倍。
三星电子首席技术官宋载赫打了个比方：HPB就像在芯片内部开辟了一条烟囱，通过独立的传热路径把热量从关键区域迅速导走。该技术此前已在三星自研的Exynos 2600移动处理器上得到验证，散热性能较上代提升约30%。宋载赫透露，HPB已在HBM4E平台完成全面验证，计划随HBM5正式商用。在制程层面，HBM5将搭载三星第六代10纳米级DRAM制程（1c DRAM）及2纳米逻辑工艺，预计2028年前后量产。
面对三星的技术攻势，SK海力士也不甘示弱，推出了名为iHBM的竞争方案。其思路是在连接HBM与图形处理器的核心接口处嵌入集成冷却元件（ICE），对热量集中区域实施精准降温。SK海力士方面称，该技术可将热阻降低30%以上，且"与客户现有系统级封装环境高度兼容，无需大规模设计改动即可直接部署"。
两家巨头同时押注散热技术，背后是AI半导体竞争逻辑的深层转变。随着英伟达新一代AI平台将GPU、CPU、网络和存储集成为机架级的"AI工厂"，散热控制、堆叠稳定性与封装良率，已从后台指标跃升为决定系统性能的关键变量。黄仁勋在解释供应链瓶颈时，也不再局限于HBM芯片本身，而是将晶圆、封装、连接器和硅光子学一并纳入讨论，足见产业链正在被重新定义。