DDR4供给短缺压力凸显，行业全面转向DDR5发展

AI算力集群、端侧智能设备双重需求叠加，全球通用半导体晶圆、封测产能被头部AI企业抢占，存储器中下游供应链全面承压。2026年上半年DDR4现货供给持续吃紧，现货价格较2025年末出现数倍涨幅。中国台湾存储设计厂商凌阳在年度股东会中披露，现阶段公司中高阶硬件产品仍依赖DDR4内存支撑，为对冲缺货风险，内部已调整客户供货优先级，将车载、工业级一级客户纳入优先供货名单。产品迭代层面，凌阳现有DDR4架构新品将收尾迭代，全部下一代自研硬件产品将切换至DDR5内存架构，计划2027年初实现规模化量产出货。
本次存储缺货具备全代际扩散特征，并非仅DDR4品类紧缺。车载音频、工业控制设备存量产品普遍使用的DDR2、DDR3内存，同样出现原厂减产、交期延期问题。从缺货影响分化来看，嵌入式DRAM受冲击极小，外挂式DRAM成为重灾区。凌阳内部数据显示，公司自研嵌入式DRAM物料已完成全年备货，可覆盖2026年全部订单；但车载产品线90%以上采用外挂式DRAM，物料采购权限掌握在下游整车客户手中，客户备货滞后直接导致出现“芯片完工、整机无法交付”的断供隐患。针对该问题，凌阳已常态化向上下游客户发布备货预警。
供给端长期改善空间有限。目前三星、美光、SK海力士三大头部DRAM原厂持续缩减DDR4产能，中国台湾地区存储厂商南亚科等企业小幅扩容DDR4产能，但扩产从设备进场到产能释放需要12-18个月，短期无法扭转供需。另外后端封测产能增幅不足10%，通用IC封测交期由45天拉长至90天，进一步挤压通用存储芯片交付时效。