三星加速先进DRAM工艺迭代，1d DRAM明年启动量产筹备

三星持续推进第七代10纳米级1d DRAM的研发与量产筹备工作，计划明年第二季度导入配套生产设备，联合供应链打磨工艺、优化良率，这款先进芯片将成为未来高端AI存储的核心载体。
据悉，三星1d DRAM电路宽度为10-11纳米，相较于当前商用的第六代1c DRAM实现工艺微缩，芯片能效与综合性能显著提升。受核心设备研发进度影响，该工艺量产时间有所延后，结合产线调试、爬坡周期测算，最快将于明年年底实现小规模量产。目前三星平泽工厂正协同合作伙伴优化工艺，量产详细规划将于今年年底落地明确。
从长期布局来看，1d DRAM是三星AI存储业务的核心技术底座，未来将作为2029年商用的HBM5E高带宽内存核心芯片载体，支撑后续高端算力硬件的性能迭代，巩固其在全球高端存储市场的竞争力。