美光财报大幅超出预期，HBM 成为增长支柱，全球三强打响产能卡位战

受益于 AI 服务器对高带宽内存的强劲需求，美光最新季度业绩创下历史新高，营收与利润大幅攀升；HBM 成为行业竞争焦点，美光、SK 海力士、三星开启长期产能争夺。
美光 2026 财年第三季度经营数据全面走强，单季营收超过 414 亿美元，同比增长 346%，连续五个季度刷新历史记录。拆分业务来看，DRAM 业务贡献七成以上营收，环比上涨 67%；NAND 闪存营收环比增幅接近一倍，两大存储产品涨价成为盈利爆发的核心动力。本季度公司毛利率冲高至 85% 以上，同时将全年资本支出上调至 270 亿美元，全力投向新一代内存与闪存产能建设。
本轮业绩爆发的核心是 HBM 高带宽内存需求爆发。随着大模型参数持续扩张，传统内存会出现传输速度不足的 “内存墙” 瓶颈，多层堆叠的 HBM 芯片传输效率远超普通 DDR 内存，已经成为 AI 服务器的刚需零部件。目前美光 HBM3E 产能已经被客户全额锁定，订单排期延伸至 2027 年，HBM4 新品累计营收突破 10 亿美元，产品高溢价持续推高企业盈利水平。
全球存储市场形成三足鼎立的竞争格局。SK 海力士凭借先进封装合作优势，长期稳居头部客户核心供应商席位，产能长期满负荷运转；美光依靠制程功耗优势切入高端供应链，以精品产能拿到高毛利订单；三星此前在新品验证上进度偏慢，现阶段集中资源加速调试，一旦实现大批量供货，全球 HBM 产能格局将会迎来重新洗牌。
行业供需紧张局面仍将长期维持。HBM 生产工艺复杂、良率提升缓慢，产能释放存在明显壁垒。美光已经和客户签署总额约 1000 亿美元的长期供货协议，锁定未来数年的订单。企业预判，DRAM 与闪存供需紧张至少会延续到 2027 年，存储行业已经摆脱传统周期波动，正式迈入 AI 基础设施高景气赛道。机构预计美光下一财季营收有望站上 500 亿美元，高毛利率水平能够继续维持。