AI需求引爆存储牛市,DRAM与NAND价格涨幅超预期
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-07-06
随着人工智能技术的广泛应用,高性能存储器已成为制约算力发展的关键瓶颈。市场研究机构数据显示,AI应用的大规模扩展,特别是大模型训练对数据吞吐量的极高要求,使得高性能存储器的需求持续攀升,行业正迎来一轮强劲的增长周期。
据日媒及相关供应链消息,存储市场涨价潮仍在延续。继前期涨幅之后,第三季DRAM合约价平均涨幅预计达两成,而NAND Flash价格涨幅更为显著,预计将上调35%至40%。此外,作为AI芯片关键配套的高带宽内存(HBM),其售价也维持在高位,每GB价格有机会再调升3.5至4美元。瑞银等国际金融机构分析指出,本轮DRAM市场的供需吃紧状况,至少是近30年来罕见的,缺口恐难以填补,并可能延续至2028年上半年。
据日媒及相关供应链消息,存储市场涨价潮仍在延续。继前期涨幅之后,第三季DRAM合约价平均涨幅预计达两成,而NAND Flash价格涨幅更为显著,预计将上调35%至40%。此外,作为AI芯片关键配套的高带宽内存(HBM),其售价也维持在高位,每GB价格有机会再调升3.5至4美元。瑞银等国际金融机构分析指出,本轮DRAM市场的供需吃紧状况,至少是近30年来罕见的,缺口恐难以填补,并可能延续至2028年上半年。






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