国内DRAM厂家的上海厂2027满产、国内NAND厂家的武汉三期提前至2026年底

日经7日报，国内存储器厂家均在扩产抢AI窗口。国内DRAM厂家在合肥厂已做HBM，上海厂计划2027年全面量产，投产后整体产能估增至现行2倍以上；国内NAND厂家武汉第三座厂把量产从原规划2027年提前到2026年底，并规划再追加两座厂，全投产后NAND产能估增至2倍以上。
Counterpoint数据，2026年Q1 国内DRAM厂家DRAM全球市占（金额）8%，较去年同期升5个点；国内NAND厂家NAND市占13%，同样升5个点。市场判断，随着两家新厂集中在2027下半年投产，供需会再趋平衡，涨价周期很可能步入尾声——这是供给端第一次给出"终结时间窗"的锚。