MRAM与FRAM

MRAM与FRAM

 
新世代记忆体包括PRAM、MRAM、ReRAM、FRAM等，用来取代NAND Flash和DRAM技术，目前没有绝对主流出线。

MRAM为磁电阻式记忆体，全名为Magnetoresistive Random Access Memory，优点是速度快、省电、永久性，因为是以磁电阻的特性纪录资料，属于非挥发性记忆体，即使电源中断情况下，资料仍能继续储存。MRAM的主要应用目标是取代现有的DRAM，但目前MRAM仍有材料成本太高的问题。

MRAM的运作基础和硬碟储存数据相同，以磁性的方向为依据，存储为0或1，且储存的资料是永久性，除非外界的磁场被改变；而在制程技术上，MRAM可采用CMOS逻辑制程完成；目前投入研发和生产MRAM业者包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、IBM等。

FRAM为铁电随机记忆体，结合了唯读记忆体和随机记忆体的优势，全名为Ferro electric Random Access Memory，优点包括低耗电、读写速度快等，富士通半导体算是日本最主要的推广者，未来是否进入商业大量化仍待观察。