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记忆体价格料惨崩!韩商续砸钱拚技术、阻陆厂出头

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-01-17

 

记忆体供过于求,价格跌跌不休,研调机构估计业者将减产、降低资本开支因应。不过韩厂宣称将继续投资,拉大技术差距,斩断陆厂出头机会。

NAND flash供给过剩,估计今年第一季NAND flash价格将下跌20%、减幅高于先前预估的10%。第二季价格将再跌15%。下半年旺季效应加持,跌幅将减至每季10%。整体来说,预测今年NAND价格将暴跌50%,跌幅远大于之前预估的10~25%。

有鉴于此,推断今年NAND记忆体业者的资本开支将减少2%。另外,该机构还预测DRAM第一季价格将萎缩20%。

BusinessKorea报导,尽管记忆体价格暴跌,韩厂仍誓言要砸钱研发。三星电子副会长李在镕重申要落实投资计划,将斥资180兆韩圜提升半导体设备和技术,扩大和对手的差距。陆厂在应用程式处理器方面较为落后,三星会加速发展。三星也会继续开发7奈米极紫外线(EUV)微影技术。

另一韩厂SK海力士,将花费120兆韩圜打造新的半导体中心。BusinessKorea指出,领先业者持续研发、拉大技术鸿沟,代表陆厂等新进入市场的公司,不只要面临价格暴跌的压力,还得苦苦追赶才能生存。

韩媒BusinessKorea 1月10日报导,外界原本估计2019年是“中国记忆体元年”,中国三大记忆体厂商都将在今年投产,带动半导体产业起飞。但是美国科技禁售令和国际半导体市场低迷,重创中国。部分人士预测,陆厂量产时间将被迫延后至明年、甚至更晚。