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SK海力士无锡二期厂从4月全面投产,生产先进10nm级DRAM

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-04-03

 

据外媒报道,SK海力士扩建的中国无锡2号工厂将于本月全面投产,主要是用于生产先进的10nm级DRAM技术,预估每月可生产18万片Wafer。

在DRAM技术上,SK海力士1ynm DRAM将在2019年开始供货,还成功开发出1ynm 16Gb DDR5,支持5200Mbps的数据传输速率,比上一代的3200Mbps快约60%,将于2020年大规模量产。

3月25日,SK海力士与中国开发银行牵头的一批中资银行(包括中国农业银行、中国建设银行、中国工商银行和中国进出口银行)举行了银团贷款签约仪式,贷款额估计为35亿美元,是中国江苏省有史以来最大的外汇贷款额。

自2005年正式落户无锡以来,SK海力士与银团牵手已有多次,2006、2007以及2011年就已经分别进行7.5亿、7.5亿、4.5亿美金的贷款。

SK海力士早在2016年底就计划加码投资中国无锡DRAM晶圆厂,从2017年7月到2019年4月总投资9500亿韩元,以保持生产竞争力。据悉,SK海力士在中国无锡包括一期和二期工厂,二期工厂在2018年底完成清洁室的安装,2019年初进行初期的生产,从4月份开始将全面进入量产阶段。

SK海力士主要在韩国利川和中国无锡工厂生产DRAM,除了扩建的无锡二期工厂,SK海力士还正在新建M16工厂,这是在利川新建M14工厂之后的第三座Fab工厂,也可能将用于生产DRAM,或者跟M14一样是NAND Flash和DRAM的混合工厂。

如今,无论是NAND Flash还是DRAM,都陷入供应过剩的局面,若原厂持续加大DRAM产量,恐引起市场担忧后续供应将持续扩大,供过于求的市况将更加严重。